特許
J-GLOBAL ID：201203080650265933

グラフェン膜と金属電極とが電気的接合した回路装置

発明者：
岡井 誠

岡井 誠 について

, 
廣岡 誠之

廣岡 誠之 について

, 
和田 恭雄

和田 恭雄 について


出願人/特許権者：
株式会社日立製作所

株式会社日立製作所 について


代理人 (1件)： ポレール特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-289350
公開番号（公開出願番号）：特開2012-138451
出願日： 2010年12月27日
公開日（公表日）： 2012年07月19日
要約：
【課題】グラフェン膜と金属電極との接触面積(基板上の占有面積)を抑制しつつ、それらの間の接触抵抗を低減してグラフェン膜と金属電極とが良好に電気的接合された回路装置を提供する。【解決手段】本発明に係る回路装置は、単層または複数層からなるグラフェン膜を利用した回路装置であって、前記回路は、前記グラフェン膜と該グラフェン膜に直接接合する第1の金属電極と該グラフェン膜に直接接合する第2金属電極とを有し、前記第1の金属電極と接合している領域の前記グラフェン膜の90%以上と前記第2の金属電極と接合している領域の前記グラフェン膜の90%以上とが、高濃度のp型または高濃度のn型にドープされていることを特徴とする。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
単層または複数層からなるグラフェン膜を利用した回路装置であって、 前記回路は、前記グラフェン膜と、該グラフェン膜に直接接合する第1の金属電極と、該グラフェン膜に直接接合する第2金属電極とを有し、 前記グラフェン膜は、前記第1の金属電極と前記第2の金属電極との間に第1導電型のドープ領域を有し、 前記第1の金属電極と接合している領域における前記グラフェン膜の90%以上の領域と、前記第2の金属電極と接合している領域における前記グラフェン膜の90%以上の領域とが、前記第1導電型のドープ領域よりも高濃度の第1導電型または高濃度の第2導電型にドープされていることを特徴とするグラフェン膜と金属電極とが電気的接合した回路装置。
IPC (3件)：
H01L 29/786 ,  C01B 31/02 ,  H01L 21/336
FI (5件)：
H01L29/78 618B ,  C01B31/02 101Z ,  H01L29/78 618E ,  H01L29/78 616V ,  H01L29/78 626C
Fターム (37件)：
4G146AA01 ,  4G146AB07 ,  4G146AC20A ,  4G146AC20B ,  4G146AC27A ,  4G146AC27B ,  4G146AD30 ,  4G146BA12 ,  4G146BB22 ,  4G146BB23 ,  4G146BC09 ,  4G146BC23 ,  4G146BC33B ,  5F110AA03 ,  5F110CC02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD17 ,  5F110EE02 ,  5F110EE04 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110GG01 ,  5F110GG19 ,  5F110GG32 ,  5F110GG44 ,  5F110GG51 ,  5F110GG52 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HK02 ,  5F110HK04 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110QQ14 ,  5F110QQ19
引用特許：
審査官引用 (6件)
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