特許
J-GLOBAL ID：201203082039280881

ナノ結晶凝集半導体材料及びその製造方法

発明者：
内田 紀行

内田 紀行 について

, 
金山 敏彦

金山 敏彦 について


出願人/特許権者：
独立行政法人産業技術総合研究所

独立行政法人産業技術総合研究所 について


代理人 (1件)： 光田 敦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-199630
公開番号（公開出願番号）：特開2012-084870
出願日： 2011年09月13日
公開日（公表日）： 2012年04月26日
要約：
【課題】平滑面で高密度かつ大きな強度を有し、バンドギャップについて、シリコンのナノ結晶によるワイドギャップと、シリサイドナノ結晶によるナローギャップで、広範の波長に対応可能な、半導体材料を、低コストで形成する。【解決手段】金属(M)とシリコン(Si)の合金を、熱処理によってシリコンナノ結晶と金属シリサイド化合物ナノ結晶に相分離させ、直径10nm以下のシリコンナノ結晶と金属シリサイドのナノ結晶が凝集しているシリコンナノ結晶と金属シリサイドナノ結晶凝集半導体材料を製造する。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
直径10nm以下のシリコンナノ結晶と金属シリサイドナノ結晶が凝集していることを特徴とするシリコンナノ結晶と金属シリサイドナノ結晶凝集半導体材料。
IPC (2件)：
H01L 21/203 ,  C23C 14/58
FI (2件)：
H01L21/203 ,  C23C14/58 A
Fターム (22件)：
4K029AA06 ,  4K029AA24 ,  4K029BA21 ,  4K029BB08 ,  4K029BD01 ,  4K029CA05 ,  4K029DC04 ,  4K029DC08 ,  4K029DC34 ,  4K029EA08 ,  4K029GA01 ,  5F103AA08 ,  5F103BB22 ,  5F103DD16 ,  5F103DD30 ,  5F103GG02 ,  5F103GG03 ,  5F103LL01 ,  5F103LL04 ,  5F103LL13 ,  5F103PP03 ,  5F103RR05
引用特許：
審査官引用 (5件)
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引用文献：
審査官引用 (1件)
  • Chromium-Induced Nanocrystallization of a-Si Thin Films into the Wurtzite Structure

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