印刷されたドーパント層

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：山田行一 , 野田雅一 , 池田成人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-211891
公開番号（公開出願番号）：特開2008-103686
出願日： 2007年08月15日
公開日（公表日）： 2008年05月01日
要約：

【課題】MOSトランジスタなどの電子デバイスを形成する方法であって、比較的安価で時間のかからない処理技術の提供。【解決手段】基板10上に複数の半導体アイランド31,35を形成するステップと、半導体アイランドの第1のサブセット31上に或いはそれよりも上側に第1の誘電体層60を印刷するとともに、随意的に半導体アイランドの第2のサブセット35上に或いはそれよりも上側に第2の誘電体層65を印刷する。第1の誘電体層60は第1のドーパントを含み、(随意の)第2の誘電体層65は第1のドーパントとは異なる第2のドーパントを含む。誘電体層60,65、半導体アイランド31,35及び基板10は、第1のドーパントを半導体アイランドの第1のサブセット31中へ拡散させ、且つ存在する場合には第2のドーパントを半導体アイランドの第2のサブセット35中へ拡散させるように十分にアニールされる。【選択図】図5

請求項（抜粋）：

MOSトランジスタを形成する方法であって、 a)電気的に機能する基板上に複数の半導体アイランドを形成するステップと、 b)前記半導体アイランドの第1のサブセット上に或いはそれよりも上側に第1の誘電体層を印刷するとともに、前記半導体アイランドの第2のサブセット上に或いはそれよりも上側に第2の誘電体層を印刷し、前記第1の誘電体層が第1のドーパントを含み、前記第2の誘電体層が前記第1のドーパントとは異なる第2のドーパントを含むステップと、 c)前記第1のドーパントを半導体アイランドの前記第1のサブセット中へ拡散させ且つ前記第2のドーパントを半導体アイランドの前記第2のサブセット中へ拡散させるように十分に前記誘電体層、前記半導体アイランド及び前記基板をアニールするステップと、を備える方法。

IPC (9件)：

H01L 21/336 , H01L 29/786 , H01L 29/423 , H01L 29/49 , H01L 21/288 , H01L 21/320 , H01L 21/225 , H01L 29/417 , H01L 21/316

FI (12件)：

H01L29/78 616L , H01L29/78 627C , H01L29/78 618A , H01L29/78 617J , H01L29/78 617V , H01L29/78 616K , H01L29/58 G , H01L21/288 Z , H01L21/88 B , H01L21/225 R , H01L29/50 M , H01L21/316 B

Fターム (151件)：

4M104AA01 , 4M104AA08 , 4M104AA09 , 4M104BB01 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB05 , 4M104BB06 , 4M104BB07 , 4M104BB08 , 4M104BB09 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104BB18 , 4M104BB20 , 4M104BB21 , 4M104BB22 , 4M104BB23 , 4M104BB25 , 4M104BB26 , 4M104BB28 , 4M104BB30 , 4M104BB32 , 4M104BB33 , 4M104BB40 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104DD51 , 4M104DD52 , 4M104DD53 , 4M104DD62 , 4M104DD63 , 4M104DD78 , 4M104DD79 , 4M104DD81 , 4M104DD84 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 4M104GG20 , 5F033HH04 , 5F033HH07 , 5F033HH08 , 5F033HH11 , 5F033HH13 , 5F033HH14 , 5F033HH15 , 5F033HH18 , 5F033HH19 , 5F033HH20 , 5F033HH23 , 5F033HH25 , 5F033HH27 , 5F033HH28 , 5F033HH29 , 5F033HH32 , 5F033HH33 , 5F033HH34 , 5F033JJ01 , 5F033KK04 , 5F033LL04 , 5F033PP26 , 5F033PP27 , 5F033PP28 , 5F033QQ01 , 5F033QQ08 , 5F033QQ52 , 5F033QQ70 , 5F033QQ73 , 5F033QQ83 , 5F033VV06 , 5F033VV15 , 5F058BC02 , 5F058BC04 , 5F058BF47 , 5F058BH01 , 5F058BJ07 , 5F110AA16 , 5F110BB01 , 5F110BB04 , 5F110BB09 , 5F110BB20 , 5F110CC02 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD05 , 5F110DD12 , 5F110DD13 , 5F110DD17 , 5F110DD18 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE05 , 5F110EE06 , 5F110EE09 , 5F110EE14 , 5F110EE42 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF09 , 5F110FF23 , 5F110FF27 , 5F110FF30 , 5F110FF32 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG03 , 5F110GG04 , 5F110GG13 , 5F110GG15 , 5F110GG19 , 5F110GG25 , 5F110GG32 , 5F110GG34 , 5F110GG42 , 5F110GG43 , 5F110GG44 , 5F110GG45 , 5F110GG47 , 5F110HJ01 , 5F110HJ16 , 5F110HJ23 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK05 , 5F110HK08 , 5F110HK09 , 5F110HK10 , 5F110HK11 , 5F110HK25 , 5F110HK32 , 5F110HL02 , 5F110HL22 , 5F110HM15 , 5F110NN02 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN27 , 5F110NN33 , 5F110PP01 , 5F110PP02 , 5F110PP03 , 5F110PP34 , 5F110PP35 , 5F110QQ06 , 5F110QQ11 , 5F110QQ21

引用特許：

審査官引用 (9件)

相補型トランジスタ回路、電気光学装置、電子デバイス、及び相補型トランジスタの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-329087 出願人：セイコーエプソン株式会社
シリコン膜およびその形成方法、ならびに、液晶表示装置、有機EL表示装置、電子機器および機器
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-119100 出願人：セイコーエプソン株式会社
ドープシリコン膜の形成方法及びデバイスの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-033416 出願人：セイコーエプソン株式会社

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