特許
J-GLOBAL ID：201203084281433881
窒化物系LEDの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-099848
公開番号（公開出願番号）：特開2012-231087
出願日： 2011年04月27日
公開日（公表日）： 2012年11月22日
要約：
【課題】窒化物半導体の無極性面または半極性面を機械的に加工する工程を含みながらも、該加工に起因する発光効率の低下が防止される、無極性または半極性の窒化物系LEDの製造方法を提供する。【解決手段】無極性または半極性の窒化物半導体基板を含む窒化物半導体積層体を準備する第1工程と、該窒化物半導体積層体の底面を機械的に削ることによって該窒化物半導体積層体の厚さを減じる第2工程と、該第2工程で生じる着色部が除去されるように該窒化物半導体積層体の底面をドライエッチする第3工程と、を有し、該第3工程では、エッチバック法を用いることによって該窒化物半導体積層体の底面の平坦性を改善する、窒化物系LEDの製造方法が提供される。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
底面および上面を有し、底面側から上面側に向かって、無極性または半極性の窒化物半
導体基板と、該窒化物半導体基板の上に成長したn型窒化物半導体層と、該n型窒化物半導体層の上に成長した窒化物半導体からなる活性層と、該活性層の上に成長したp型窒化物半導体層とを、この順に含む窒化物半導体積層体を準備する第1工程と、
該窒化物半導体積層体の底面を機械的に削ることによって該窒化物半導体積層体の厚さ
を減じる第2工程と、
該第2工程で生じる着色部が除去されるように該窒化物半導体積層体の底面をドライエ
ッチする第3工程と、
を有し、
該第3工程では、エッチバック法を用いることによって該窒化物半導体積層体の底面の
平坦性を改善する、窒化物系LEDの製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L33/00 186
, H01L33/00 130
5F041AA03
, 5F041AA41
, 5F041CA04
, 5F041CA12
, 5F041CA22
, 5F041CA40
, 5F041CA65
, 5F041CA74
, 5F041CB11
, 5F041CB15
, 5F141AA03
, 5F141AA41
, 5F141CA04
, 5F141CA12
, 5F141CA22
, 5F141CA40
, 5F141CA65
, 5F141CA74
, 5F141CB11
, 5F141CB15
