窒化物半導体発光素子の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：三好秀和 , 寺山啓進 , 三好広之 , 伊藤市太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-024655
公開番号（公開出願番号）：特開2007-207981
出願日： 2006年02月01日
公開日（公表日）： 2007年08月16日
要約：

【課題】光取り出し効率を向上させることができ、チップ分離溝を形成する際に発生する活性層のダメージを取り除くことができるとともに製造工程を複雑化、長時間化させない窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。【解決手段】活性層3を挟むようにしてn型窒化物半導体層2とp型窒化物半導体層4が形成されており、ダブルへテロ構造を有する。活性層3は、n型窒化物半導体層2とp型窒化物半導体層4と横幅が揃っておらず、少し削られたような形状となっている。チップに分離するための分離溝をドライエッチングで形成した後、n型窒化物半導体層2が露出した表面の粗面加工を行う工程で、活性層3の側面が溶けて幅が狭くなったものである。この活性層3側面の溶解により、ドライエッチングでのダメージが除去される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

少なくとも、n型窒化物半導体層、活性層、p型窒化物半導体層とを順に備えた積層体が基板上に積層され、前記積層体にドライエッチングにより分離溝を形成する分離溝形成工程を有する窒化物半導体発光素子の製造方法において、前記n型窒化物半導体層又はp型窒化物半導体層の光取り出し面に凹凸を形成する粗面加工工程を有するとともに、前記分離溝形成工程で発生した活性層の損傷を前記粗面加工工程で同時に除去することを特徴とする窒化物半導体発光素子の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 33/00 , H01L 21/306

FI (3件)：

H01L33/00 C , H01L21/302 105A , H01L21/306 B

Fターム (23件)：

5F004AA01 , 5F004BA20 , 5F004DA00 , 5F004DA04 , 5F004DA13 , 5F004DB19 , 5F004EA23 , 5F004EB04 , 5F041AA03 , 5F041AA42 , 5F041AA44 , 5F041CA04 , 5F041CA13 , 5F041CA40 , 5F041CA65 , 5F041CA74 , 5F041CA75 , 5F041CA77 , 5F041CB15 , 5F043AA16 , 5F043BB10 , 5F043DD08 , 5F043FF10

引用特許：

出願人引用 (1件)

国際公開第2005/064666号

審査官引用 (8件)

窒化物系化合物半導体素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-365411 出願人：松下電器産業株式会社
半導体発光素子の製法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-057688 出願人：ローム株式会社
有機物の分解方法、および半導体素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-003941 出願人：セイコーエプソン株式会社

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