ダイアモンド層を有する窒化ガリウム層の製造

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：小野新次郎 , 小林泰 , 千葉昭男 , 富田博行 , 上田忠
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-542360
公開番号（公開出願番号）：特表2012-513674
出願日： 2009年12月16日
公開日（公表日）： 2012年06月14日
要約：

一態様における方法は、第1熱伝導率を有する第1ダイアモンド層と、第1熱伝導率よりも高い第2熱伝導率を有する第2ダイアモンド層とを有する窒化ガリウム(GaN)層を製造するステップを含む。この製造するステップは、第2ダイアモンド層を第1ダイアモンド層上に堆積させるために、マイクロ波プラズマ化学蒸着(CVD)プロセスを用いるステップを含む。【選択図】図1A、図1B

請求項（抜粋）：

第1熱伝導率を有する第1ダイアモンド層と前記第1熱伝導率よりも高い第2熱伝導率を有する第2ダイアモンド層とを有する窒化ガリウム(GaN)層を製造するステップを含む方法であって、該製造するステップが、前記第2ダイアモンド層を前記第1ダイアモンド層上に堆積させるためにマイクロ波プラズマ化学蒸着(CVD)プロセスを用いることを含む、方法。

IPC (7件)：

H01L 21/20 , H01L 21/338 , H01L 29/812 , H01L 29/778 , H01L 21/205 , C23C 16/27 , C23C 16/01

FI (5件)：

H01L21/20 , H01L29/80 H , H01L21/205 , C23C16/27 , C23C16/01

Fターム (39件)：

4K030BA08 , 4K030BA28 , 4K030BA38 , 4K030BB12 , 4K030CA04 , 4K030CA17 , 4K030FA01 , 4K030FA17 , 4K030LA14 , 5F045AA03 , 5F045AA09 , 5F045AB07 , 5F045AF03 , 5F045CA07 , 5F045DA52 , 5F102FA02 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ02 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GQ01 , 5F102GR09 , 5F102GS04 , 5F102GV05 , 5F102HC01 , 5F152LL03 , 5F152LL04 , 5F152LL13 , 5F152LP08 , 5F152MM05 , 5F152NN03 , 5F152NN05 , 5F152NN13 , 5F152NN15 , 5F152NN29 , 5F152NP02 , 5F152NQ09

引用特許：

審査官引用 (6件)

ダイアモンド基板上炭化珪素並びに関連するデバイス及び方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2006-551378 出願人：クリーインコーポレイテッド
熱伝導性が高いダイヤモンドの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-252110 出願人：ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ
半導体部材、半導体装置およびそれらの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-107340 出願人：キヤノン株式会社

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