特許
J-GLOBAL ID：201203086493626194

電力用半導体装置

発明者：
中田 修平

中田 修平 について

, 
大塚 健一

大塚 健一 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (4件)： 高橋 省吾 ,  稲葉 忠彦 ,  村上 加奈子 ,  中鶴 一隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-011107
公開番号（公開出願番号）：特開2012-156154
出願日： 2011年01月21日
公開日（公表日）： 2012年08月16日
要約：
【課題】JBSであってもサージ電流による温度上昇とその正帰還により素子破壊に至る場合があった。【解決手段】n型のSiC基板と、SiC基板の第一主面に形成され、SiC基板よりも不純物濃度の低いn型SiCドリフト層と、ドリフト層に形成されたp型SiCの第一の半導体領域と、第一の半導体領域の表層側に形成され、第一の半導体領域よりも不純物濃度が高濃度であるp型SiCの第二の半導体領域と、ドリフト層の表面に形成され第一の半導体領域とショットキー接続し、第二の半導体領域とオーミック接続するショットキー電極と、ショットキー電極の表面に形成されたアノード電極と、アノード電極の表面で、第一の半導体領域の直上に形成され、上面から見て第一の半導体領域の領域を含むように第一の半導体領域よりも広い面積に形成されたファーストボンドと、SiC基板の第二主面に形成されたカソード電極とを備えている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
第一導電型のSiC基板と、 前記SiC基板の第一主面に形成され、前記SiC基板よりも不純物濃度の低い第一導電型でSiCのドリフト層と、 前記ドリフト層に形成された第二導電型でSiCの第一の半導体領域と、 前記第一の半導体領域の表層側に形成され、前記第一の半導体領域よりも不純物濃度が高濃度である第二導電型でSiCの第二の半導体領域と、 前記ドリフト層の表面に形成され前記第一の半導体領域とショットキー接続し、前記第二の半導体領域とオーミック接続するショットキー電極と、 前記ショットキー電極の表面に形成されたアノード電極と、 前記アノード電極の表面で、前記第一の半導体領域の直上に形成され、上面から見て前記第一の半導体領域の領域を含むように前記第一の半導体領域よりも広い面積に形成されたワイアボンドのファーストボンドと、 前記SiC基板の前記第一主面に対向する第二主面に形成されたカソード電極とを備えたことを特徴とする電力用半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 29/872 ,  H01L 29/47
FI (2件)：
H01L29/48 F ,  H01L29/48 D
Fターム (9件)：
4M104AA03 ,  4M104BB14 ,  4M104FF13 ,  4M104FF32 ,  4M104FF35 ,  4M104FF40 ,  4M104GG03 ,  4M104GG18 ,  4M104HH20
引用特許：
審査官引用 (6件)
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