特許

J-GLOBAL ID：201203089807970862

強誘電体薄膜及び該強誘電体薄膜を用いた薄膜キャパシタ

発明者： 野口 毅 ,  桜井 英章 ,  藤井 順 ,  渡辺 敏昭 ,  曽山 信幸
出願人/特許権者： 三菱マテリアル株式会社
代理人 (1件)： 須田 正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-220631
公開番号（公開出願番号）：特開2012-009800
出願日： 2010年09月30日
公開日（公表日）： 2012年01月12日
要約：

【課題】寿命信頼性を向上し得る、強誘電体薄膜及び該強誘電体薄膜を用いた薄膜キャパシタを提供する。【解決手段】(PbxLay)(ZrzTi(1-z))O3(式中、0.9<x<1.3、0≦y<0.1、0≦z<0.9)で示される複合金属酸化物に、Bi、Si、Pb、Ge、Sn、Al、Ga、In、Mg、Ca、Sr、Ba、V、Nb、Ta、Sc、Y、Ti、Zr、Hf、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Zn、Cd、Li、Na、K、P、B、Ce、Nd、Sm及びCsからなる群より選ばれた1種或いは2種以上の元素から構成される金属酸化物がある一定の割合で混合した混合複合金属酸化物の形態をとる強誘電体薄膜が、2〜23層の焼成層を積層して構成され、焼成層の厚さtが45〜500nmであり、焼成層中に存在する結晶粒の定方向最大径の平均xが200〜5000nmであり、焼成層のいずれにおいても1.5t<x<23tの関係を満たす。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

一般式:(PbxLay)(ZrzTi(1-z))O3(式中、0.9<x<1.3、0≦y<0.1、0≦z<0.9)で示される複合金属酸化物Aに、Bi、Si、Pb、Ge、Sn、Al、Ga、In、Mg、Ca、Sr、Ba、V、Nb、Ta、Sc、Y、Ti、Zr、Hf、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Zn、Cd、Li、Na、K、P、B、Ce、Nd、Sm及びCsからなる群より選ばれた1種或いは2種以上の元素から構成される金属酸化物Bが混合した、金属酸化物Bと複合金属酸化物Aとのモル比B/Aが0≦B/A<0.1である混合複合金属酸化物の形態をとる強誘電体薄膜において、 2〜23層の焼成層を積層して構成され、 前記焼成層の厚さtが45〜500nmであり、 前記焼成層中に存在する結晶粒の定方向最大径の平均xが200〜5000nmであり、 前記焼成層のいずれにおいても1.5t<x<23tの関係を満たす ことを特徴とする強誘電体薄膜。

IPC (13件)：

H01G 4/33 ,  H01L 27/105 ,  H01L 21/824 ,  C04B 35/472 ,  C04B 35/491 ,  H01L 41/187 ,  H01L 41/24 ,  H01L 41/22 ,  H01L 41/09 ,  H01L 41/08 ,  H01L 27/108 ,  H01G 4/10 ,  H01G 4/12

FI (13件)：

H01G4/06 102 ,  H01L27/10 444C ,  C04B35/46 K ,  C04B35/49 A ,  H01L41/18 101D ,  H01L41/22 A ,  H01L41/22 Z ,  H01L41/08 C ,  H01L41/08 Z ,  H01L27/10 651 ,  H01G4/10 ,  H01G4/12 394 ,  H01G4/12 397

Fターム (64件)：

4G031AA01 ,  4G031AA03 ,  4G031AA04 ,  4G031AA05 ,  4G031AA06 ,  4G031AA07 ,  4G031AA08 ,  4G031AA11 ,  4G031AA12 ,  4G031AA13 ,  4G031AA14 ,  4G031AA15 ,  4G031AA16 ,  4G031AA19 ,  4G031AA21 ,  4G031AA22 ,  4G031AA23 ,  4G031AA26 ,  4G031AA27 ,  4G031AA28 ,  4G031AA29 ,  4G031AA30 ,  4G031AA31 ,  4G031AA32 ,  4G031AA33 ,  4G031AA35 ,  4G031BA09 ,  4G031BA10 ,  4G031CA08 ,  4G031GA04 ,  4G031GA07 ,  4G031GA09 ,  4G031GA11 ,  5E001AB01 ,  5E001AC10 ,  5E001AE03 ,  5E001AE04 ,  5E001AH01 ,  5E001AH03 ,  5E001AJ01 ,  5E001AJ02 ,  5E082AB01 ,  5E082BB10 ,  5E082BC30 ,  5E082BC35 ,  5E082EE05 ,  5E082EE23 ,  5E082EE37 ,  5E082FF05 ,  5E082FG03 ,  5E082FG46 ,  5E082FG54 ,  5E082PP01 ,  5E082PP03 ,  5E082PP09 ,  5F083AD11 ,  5F083FR01 ,  5F083GA11 ,  5F083GA30 ,  5F083JA02 ,  5F083JA15 ,  5F083JA38 ,  5F083PR23 ,  5F083PR33

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開昭60-236404
  
• 強誘電体素子、不揮発性強誘電体メモリ素子、インクジェット式記録ヘッド及びその製造方法並びにインクジェットプリンタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-253480   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 強誘電体薄膜の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-092505   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 誘電体薄膜およびその製法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-264562   出願人：京セラ株式会社
• 誘電体薄膜とその製造方法および用途
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-335513   出願人：三菱マテリアル株式会社