特許
J-GLOBAL ID：200903006077760559

誘電体薄膜とその製造方法および用途

発明者：
藤井 順

藤井 順 について

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桜井 英章

桜井 英章 について

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曽山 信幸

曽山 信幸 について


出願人/特許権者：
三菱マテリアル株式会社

三菱マテリアル株式会社 について


代理人 (1件)： 千葉 博史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-335513
公開番号（公開出願番号）：特開2009-177171
出願日： 2008年12月27日
公開日（公表日）： 2009年08月06日
要約：
【課題】薄膜表面に延びる長いクラックが存在せず、絶縁体圧の高い誘電体薄膜とその製造方法を提供する。【解決手段】組成がBa1-xSrxTiyO3(0≦x≦1、0.9≦y≦1.1)からなる誘電体薄膜の製造において、該薄膜の前駆物質を基板に塗布して乾燥した後、該乾燥薄膜を30°C/分以下の昇温速度で本焼成を行うことによって、平均1次粒子径が70nm以上であり、薄膜表面に連続する直線状の長さ1.5μm以上の亀裂が存在せず、電圧5Vにおけるリーク電流密度が10-5A/cm2未満、ないし電圧20Vにおけるリーク電流密度が10-1A/cm2未満である誘電体薄膜を形成する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
組成がBa1-xSrxTiyO3(0≦x≦1、0.9≦y≦1.1)からなる誘電体薄膜において、薄膜を形成する誘電体結晶粒子の平均1次粒子径が70nm以上であり、薄膜表面に連続する直線状の長さ1.5μm以上の亀裂が存在しないことを特徴とする誘電体薄膜。
IPC (8件)：
H01L 21/316 ,  H01G 4/33 ,  H01G 4/12 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/108 ,  H01L 29/78 ,  H01L 41/18 ,  H01L 41/24
FI (7件)：
H01L21/316 P ,  H01G4/06 102 ,  H01G4/12 397 ,  H01L27/10 651 ,  H01L29/78 301G ,  H01L41/18 101Z ,  H01L41/22 A
Fターム (22件)：
5E001AB06 ,  5E001AE01 ,  5E001AE02 ,  5E001AE03 ,  5E082FG26 ,  5E082PP01 ,  5E082PP09 ,  5F058BA01 ,  5F058BA04 ,  5F058BC03 ,  5F058BD05 ,  5F058BF46 ,  5F058BH03 ,  5F083AD00 ,  5F083GA27 ,  5F083JA14 ,  5F083PR23 ,  5F083PR33 ,  5F140AA24 ,  5F140BD13 ,  5F140BE09 ,  5F140BE16
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (8件)
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