半導体装置

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-048731
公開番号（公開出願番号）：特開2012-209543
出願日： 2012年03月06日
公開日（公表日）： 2012年10月25日
要約：

【課題】微細化による電気特性の変動が生じにくい半導体装置を提供する。【解決手段】第1の領域と、第1の領域を介して対向する一対の第2の領域と、を含む酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜上に設けられるゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に設けられて、かつ第1の領域に重畳する第1の電極と、を有し、第1の領域は、c軸配向した結晶部を有する非単結晶の酸化物半導体領域であり、一対の第2の領域は、ドーパントを含んで、かつ複数の結晶部を有する酸化物半導体領域であることを特徴とする半導体装置である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1の領域と、前記第1の領域を介して対向する一対の第2の領域と、を含む酸化物半導体膜と、前記酸化物半導体膜上に設けられるゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に設けられて、かつ前記第1の領域に重畳する第1の電極と、を有し、前記第1の領域は、c軸配向した結晶部を有する非単結晶の酸化物半導体領域であり、前記一対の第2の領域は、ドーパントを含んで、かつ複数の結晶部を有する酸化物半導体領域であることを特徴とする半導体装置。

IPC (8件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 21/824 , H01L 27/108 , H01L 27/115 , H01L 27/11 , H01L 29/792 , H01L 29/788

FI (10件)：

H01L29/78 616U , H01L29/78 618B , H01L29/78 616V , H01L29/78 620 , H01L29/78 616A , H01L27/10 321 , H01L27/10 434 , H01L27/10 671C , H01L27/10 381 , H01L29/78 371

Fターム (91件)：

5F083AD02 , 5F083AD69 , 5F083BS02 , 5F083BS14 , 5F083BS27 , 5F083EP02 , 5F083EP22 , 5F083EP30 , 5F083ER01 , 5F083GA06 , 5F101BA01 , 5F101BB02 , 5F101BC20 , 5F101BD02 , 5F101BD30 , 5F101BE05 , 5F110AA04 , 5F110BB03 , 5F110BB05 , 5F110BB06 , 5F110BB07 , 5F110CC02 , 5F110CC06 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD04 , 5F110DD05 , 5F110DD12 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE07 , 5F110EE08 , 5F110EE14 , 5F110EE15 , 5F110EE32 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF36 , 5F110GG01 , 5F110GG06 , 5F110GG12 , 5F110GG13 , 5F110GG17 , 5F110GG19 , 5F110GG25 , 5F110GG33 , 5F110GG34 , 5F110GG42 , 5F110GG43 , 5F110GG58 , 5F110HJ01 , 5F110HJ04 , 5F110HJ12 , 5F110HJ13 , 5F110HJ18 , 5F110HJ22 , 5F110HJ30 , 5F110HL01 , 5F110HL02 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL06 , 5F110HL07 , 5F110HL08 , 5F110HL11 , 5F110HL12 , 5F110HM03 , 5F110HM07 , 5F110HM14 , 5F110HM15 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN34 , 5F110NN35 , 5F110NN72 , 5F110PP01 , 5F110PP10 , 5F110PP13 , 5F110QQ09 , 5F110QQ11

引用特許：

審査官引用 (8件)

薄膜半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-305820 出願人：財団法人高知県産業振興センター, カシオ計算機株式会社
半導体機器及びその製法
公報種別：公表公報出願番号：特願2008-540385 出願人：財団法人高知県産業振興センター, カシオ計算機株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-129921 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

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