特許
J-GLOBAL ID:201203094457514862

半導体装置及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 恩田 博宣 ,  恩田 誠
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2011-138553
公開番号(公開出願番号):特開2012-039090
出願日: 2011年06月22日
公開日(公表日): 2012年02月23日
要約:
【課題】材料選択の自由度の高い電子部品内蔵基板及びその製造方法を提供する。【解決手段】電子部品内蔵基板1は、基板本体12の面12aに形成された配線パターン14と面12bに形成された配線パターン15とが貫通ビア13を介して電気的に接続された形態を有する基板11と、配線パターン14に電気的に接続された電子部品16と、を含む第1の構造体10を有する。また、電子部品内蔵基板1は、第1の構造体10を封止するように形成された封止樹脂20と、ビア31を介して配線パターン15と接続される配線パターン32と、を有する。【選択図】図1
請求項(抜粋):
第1の基板と、前記第1の基板に電気的に接続された電子部品と、を含む第1の構造体と、 前記第1の構造体を封止するように形成された第1の封止樹脂と、 前記第1の基板上に形成された絶縁層と、 前記絶縁層上に形成され、前記絶縁層を貫通するビアを介して前記電子部品と電気的に接続された再配線と、 を含むことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件):
H01L 23/12 ,  H05K 3/46
FI (4件):
H01L23/12 F ,  H05K3/46 Q ,  H05K3/46 N ,  H01L23/12 N
Fターム (17件):
5E346AA06 ,  5E346AA12 ,  5E346AA15 ,  5E346AA32 ,  5E346AA43 ,  5E346BB02 ,  5E346CC04 ,  5E346CC09 ,  5E346CC32 ,  5E346DD02 ,  5E346DD12 ,  5E346DD32 ,  5E346EE31 ,  5E346FF07 ,  5E346FF18 ,  5E346FF45 ,  5E346HH31
引用特許:
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (3件)

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