特許

J-GLOBAL ID：201203096139875476

GaN結晶の成長方法

発明者： 藤原 伸介
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (7件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  酒井 將行 ,  荒川 伸夫 ,  佐々木 眞人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-144973
公開番号（公開出願番号）：特開2012-006794
出願日： 2010年06月25日
公開日（公表日）： 2012年01月12日
要約：

【課題】主面の面積が大きな大口径のGaN結晶基板を効率よく生産するためのGaN結晶の成長方法を提供する。【解決手段】GaN種結晶基板101の主面101s上に第1の気相法により第1のGaN結晶110を成長させ、GaN種結晶基板101および第1のGaN結晶110の少なくともいずれかを加工することによりGaN種結晶基板101の主面101sに比べて面積が小さな主面111sを有する少なくとも1つの第1のGaN結晶基板111を得て、この第1のGaN結晶基板111bを液相法により成長させることにより第1のGaN結晶基板111bの主面111bsに比べて面積が大きな主面112sを有する第2のGaN結晶基板112を得て、この第2のGaN結晶基板112の主面112s上に第2の気相法により第2のGaN結晶120の成長させる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

GaN種結晶基板を準備する工程と、 前記GaN種結晶基板の主面上に第1の気相法により第1のGaN結晶を成長させる工程と、 前記GaN種結晶基板および前記第1のGaN結晶の少なくともいずれかを加工することにより、前記GaN種結晶基板の主面に比べて面積が小さな主面を有する少なくとも1つの第1のGaN結晶基板を得る工程と、 前記第1のGaN結晶基板を液相法により成長させることにより、前記第1のGaN結晶基板の主面に比べて面積が大きな主面を有する第2のGaN結晶基板を得る工程と、 前記第2のGaN結晶基板の主面上に第2の気相法により第2のGaN結晶を成長させる工程と、を備えるGaN結晶の成長方法。

IPC (4件)：

C30B 29/38 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/208 ,  C30B 25/20

FI (4件)：

C30B29/38 D ,  H01L21/205 ,  H01L21/208 D ,  C30B25/20

Fターム (31件)：

4G077AA02 ,  4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DB05 ,  4G077ED04 ,  4G077ED06 ,  4G077HA02 ,  4G077HA12 ,  4G077TB03 ,  4G077TC16 ,  4G077TK01 ,  4G077TK04 ,  4G077TK13 ,  5F045AA01 ,  5F045AA02 ,  5F045AA03 ,  5F045AB14 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AF02 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045BB12 ,  5F053AA03 ,  5F053DD20 ,  5F053FF04 ,  5F053FF05 ,  5F053GG01 ,  5F053HH01 ,  5F053HH04 ,  5F053PP12

引用特許：

審査官引用 (4件)

• III族窒化物結晶およびその製造方法、ならびにIII族窒化物結晶基板および半導体デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-171452   出願人：住友電気工業株式会社, 森勇介
• III族窒化物結晶基板、エピタキシャル層付III族窒化物結晶基板および半導体デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-137885   出願人：住友電気工業株式会社
• III族窒化物結晶の製造方法、III族窒化物結晶基板およびIII族窒化物半導体デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-182879   出願人：住友電気工業株式会社
• III族窒化物結晶基板およびその製造方法ならびにIII族窒化物半導体デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-304073   出願人：住友電気工業株式会社