III族窒化物結晶基板、エピタキシャル層付III族窒化物結晶基板および半導体デバイス

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (7件)：深見久郎 , 森田俊雄 , 仲村義平 , 堀井豊 , 酒井將行 , 荒川伸夫 , 佐々木眞人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-137885
公開番号（公開出願番号）：特開2010-047463
出願日： 2009年06月09日
公開日（公表日）： 2010年03月04日
要約：

【課題】半導体デバイスに用いることができる平滑で加工変質層が薄いIII族窒化物結晶基板およびエピタキシャル層付III族窒化物結晶基板の基板、ならびにかかるIII族窒化物結晶基板を含む半導体デバイスを提供する。【解決手段】半導体デバイス400の基板410として用いられ、1層以上のIII族窒化物層をエピタキシャル成長させるためのIII族窒化物結晶基板410であって、表面粗さRaが0.5nm以下であり、かつ加工変質層の厚さが50nm以下、表面酸化層の厚みが3nm以下で、記III族窒化物結晶基板の主面と、ウルツ鉱型構造におけるC面、A面、R面、M面およびS面のいずれかの面とのなす角であるオフ角が、0.05°以上15°以下である。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

表面粗さRaが0.5nm以下であり、かつ加工変質層の厚さが50nm以下であるIII族窒化物結晶基板。

IPC (2件)：

C30B 29/38 , H01L 21/205

FI (2件)：

C30B29/38 D , H01L21/205

Fターム (23件)：

4G077AA03 , 4G077BE15 , 4G077DB08 , 4G077ED04 , 4G077ED05 , 4G077ED06 , 4G077HA06 , 4G077HA12 , 4G077TB05 , 4G077TK01 , 4G077TK04 , 4G077TK06 , 5F045AA04 , 5F045AB14 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AD14 , 5F045AF04 , 5F045AF13 , 5F045BB02 , 5F045CA09 , 5F045DA52 , 5F045GH02

引用特許：

審査官引用 (5件)

高表面品質GaNウェーハおよびその製造方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2003-503865 出願人：アドバンストテクノロジーマテリアルズ,インコーポレイテッド
窒化物半導体基板の加工方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-281647 出願人：住友電気工業株式会社, ソニー株式会社
半導体の表面清浄方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-048402 出願人：ヒューレット・パッカード・カンパニー

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