半導体装置

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-113043
公開番号（公開出願番号）：特開2012-009845
出願日： 2011年05月20日
公開日（公表日）： 2012年01月12日
要約：

【課題】ゲート電極層がゲート絶縁層を介して、チャネル領域を形成する酸化物半導体層に重畳するトップゲート構造のトランジスタにおいて、ゲート絶縁層と対向し、かつ酸化物半導体層と接する絶縁層に水素が多く含まれている場合、酸化物半導体層に水素が拡散し、トランジスタの電気特性が不良となる。そこで、良好な電気特性を有する半導体装置を提供する。【解決手段】酸化物半導体層と接する絶縁層に水素濃度が6×1020atoms/cm3未満である絶縁層を用いる。さらに、水素濃度が6×1020atoms/cm3未満であるゲート絶縁層を用いてもよい。このようにすることで、酸化物半導体層に水素が拡散することを抑制することができ、良好な電気特性を有する半導体装置を提供することができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ゲート電極層と、酸化物半導体層と、前記酸化物半導体層と接するソース電極層およびドレイン電極層と、前記ゲート電極層と前記酸化物半導体層の間に設けられるゲート絶縁層と、前記酸化物半導体層を介して、前記ゲート絶縁層と対向し、且つ前記酸化物半導体層に接する水素濃度が6×1020atoms/cm3未満である絶縁層と、を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (4件)：

H01L29/78 626C , H01L29/78 618B , H01L29/78 617T , H01L29/78 617S

Fターム (55件)：

5F110AA08 , 5F110BB02 , 5F110CC01 , 5F110CC05 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD04 , 5F110DD05 , 5F110DD12 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE07 , 5F110EE14 , 5F110EE15 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF04 , 5F110FF07 , 5F110FF09 , 5F110FF28 , 5F110FF30 , 5F110FF36 , 5F110GG01 , 5F110GG24 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG33 , 5F110GG34 , 5F110GG42 , 5F110GG43 , 5F110GG44 , 5F110GG57 , 5F110GG58 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK07 , 5F110HK21 , 5F110HK22 , 5F110HK33 , 5F110HM03 , 5F110NN02 , 5F110NN71 , 5F110NN72

引用特許：

審査官引用 (7件)

絶縁層を有する酸化物半導体素子およびそれを用いた表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-313579 出願人：キヤノン株式会社
酸化物半導体を用いた表示装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-328307 出願人：キヤノン株式会社
非晶質酸化物、及び電界効果型トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-325366 出願人：キヤノン株式会社, 国立大学法人東京工業大学

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