文献

J-GLOBAL ID：201302203089885321   整理番号：13A1200066

DSAコンタクトホール収縮プロセス用電気的ビアチェーン収率

Electrical Via Chain Yield for DSA Contact Hole Shrink Process

著者 (11件)： KATO Hirokazu (Toshiba Corp., Kanagawa, JPN) ,  SEINO Yuriko (Toshiba Corp., Kanagawa, JPN) ,  YONEMITSU Hiroki (Toshiba Corp., Kanagawa, JPN) ,  SATO Hironobu (Toshiba Corp., Kanagawa, JPN) ,  KANNO Masahiro (Toshiba Corp., Kanagawa, JPN) ,  KOBAYASHI Katsutoshi (Toshiba Corp., Kanagawa, JPN) ,  KAWANISHI Ayako (Toshiba Corp., Kanagawa, JPN) ,  IMAMURA Tsubasa (Toshiba Corp., Kanagawa, JPN) ,  OMURA Mitsuhiro (Toshiba Corp., Kanagawa, JPN) ,  NAKAMURA Naofumi (Toshiba Corp., Kanagawa, JPN) ,  AZUMA Tsukasa (Toshiba Corp., Kanagawa, JPN)
資料名： Journal of Photopolymer Science and Technology  (Journal of Photopolymer Science and Technology)
巻： 26  号： 1  ページ： 21-26  発行年： 2013年 
JST資料番号： L0202A  ISSN： 0914-9244  CODEN： JSTEEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： この研究では,指向性自己集合(DSA)コンタクトホール収縮プロセスの全プロセス性能を検証する目的のための電気的ビアチェーン収率試験を行った。DSAは2金属レベル間のビアレベル接続で利用される。単一ビア抵抗データの解析から,最良プロセス条件を決定し,ビアチェーン収率を得た。2.3kのビアチェーン寸法での最善収率は74%で,358kのビアチェーン寸法で1チップが試験を通った。ビアチェーン収率分解の主要因を見出すため,故障位置を吸収電子電流画像及びSTEM画像取得により同定した。ビアは故障位置で低金属レベルにコンタクトしていないことが分かった。しかしながら,これが必ずしもDSAプロセスにより引起されるものでないと結論した。何故ならこのような故障モードはDSA無しのビアチェーンでも観察されるからである。プレ製造段階で試験されるビアチェーン寸法は,この研究で試験されるビアチェーン寸法より何けたも大きいが,DSAコンタクトホール収縮プロセスを使用した半導体デバイス製造に対して,本研究において重大な進歩がなされたと信じている。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *コンタクトホール ,  *指向性 ,  故障解析 ,  *自己集合 ,  収縮 ,  スルーホール ,  収率 ,  透過型走査電子顕微鏡 ,  製造 ,  型 ,  故障モード
準シソーラス用語： ビアチェーン ,  ビアホール ,  半導体デバイスパターン ,  半導体デバイス製造

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (6件)：

• 1. M. W. Matsen and F. S. Bates, J. Chem. Phys., 106 (6) (1997), 2436
• 2. F. Yamashita, E. Nishimura, K. Yatsuda, H. Mochiki and J. Bannister, Proc. SPIE, Vol. 8328 (2012)
• 3. H. Kato, Y. Seino, H. Yonemitsu, H. Sato, M. Kanno, K. Kobayashi, A. Kawanishi, T. Imamura, M. Omura, N. Nakamura and T. Azuma, Microelectronic Engineering (2013), in press.
• 4. Y. Seino, H. Yonemitsu, H. Sato, M. Kanno, H. Kato, K. Kobayashi, A. Kawanishi, T. Azuma, M. Muramatsu, S. Nagahara, T. Kitano and T. Toshima, Proc. SPIE, Vol. 8323 (2012)
• 5. B. Rathsack, M. Somervell, M. Muramatsu, K. Tanouchi, T. Kitano, E. Nishimura, K. Yatsuda, S. Nagahara, H. Iwaki, K. Akai, M. Ozawa, A. R. Negreira, S. Tahara and K. Nafus, Proc. SPIE, Vol. 8682 (2013)

タイトルに関連する用語 (5件)： DSA ,  コンタクトホール ,  収縮 ,  プロセス ,  収率