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J-GLOBAL ID：201302207278931747   整理番号：13A0680659

原子的に平坦なシリコン表面上に熱的に成長させた超薄SiO₂膜の微視的厚さの均一性および時間依存誘電破壊寿命時間分散

Microscopic Thickness Uniformity and Time-Dependent Dielectric Breakdown Lifetime Dispersion of Thermally Grown Ultrathin SiO₂ Film on Atomically Flat Si Surface

著者 (4件)： HASUNUMA Ryu (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN) ,  HAYASHI Yusuke (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN) ,  OTA Masahiro (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN) ,  YAMABE Kikuo (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 52  号： 3,Issue 1  ページ： 031301.1-031301.6  発行年： 2013年03月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 原子的に平坦なシリコンのテラス上に熱的に成長させたSiO²の表面および界面の微小粗さを原子間力顕微鏡で調べた。SiO²の表面の突起の高さが酸化の間増加したが,それらの相対的な位置は保存された。それらの位置はほとんど酸化の初期段階で決定され,それらの背の高さはその後の酸化の間,増加した。多くの位置で,SiO²面の突起が界面のくぼみと対応し,SiO²表面の上の窪みがSi/SiO²界面の突起と一致することもまたわかった。厚みを減少させるにつれて,SiO²層の厚みは,二次元的により均一にならなくなる。熱的SiO²膜がより粗いSi基板の上で成長されたとき,時間依存的な誘電破壊寿命時間のWeibull傾斜は減少したが,それは膜厚の不均一性に帰結された。良く制御されたSiウエハ上で形成されたSiO²膜は,より高い微視的な厚みの均一性とより高い長期信頼性を示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： ケイ素 ,  平坦性 ,  長さ ,  *酸化膜 ,  *二酸化ケイ素 ,  *超薄膜 ,  膜厚 ,  均一性 ,  絶縁破壊 ,  寿命 ,  表面粗さ ,  顕微鏡観察 ,  隆起 ,  信頼性
準シソーラス用語： Weibull傾斜 ,  テラス ,  窪み ,  原子スケール ,  原子間力顕微鏡観察 ,  突起 ,  *熱成長酸化膜 ,  誘電破壊

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

引用文献 (31件)：

• 1) R. Hasunuma, J. Okamoto, N. Tokuda, and K. Yamabe: Jpn. J. Appl Phys.43 (2004) 7861.
• 2) P. O. Hahn and M. Hanzler: J. Appl. Phys. 52 (1981) 4122.
• 3) Z. Lu, S. Sato, R. Hasunuma, and K. Yamabe: J. Phys : Conf. Ser. 191 (2009) 012032.
• 4) Y. Kabe, J. Kitagawa, Y. Hirota, S. Sato, M. Sometani, R. Hasunuma, and K. Yamabe: ECS Trans. 25 [6] (2009) 371.
• 5) I. C. Chen, S. E. Holland, and C. Hu: IEEE Trans. Electron Devices 32 (1985) 413.

タイトルに関連する用語 (9件)： 原子 ,  シリコン ,  成長 ,  SiO2 ,  厚さ ,  均一性 ,  時間依存 ,  誘電破壊 ,  寿命