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J-GLOBAL ID：201302236290802200   整理番号：13A1936937

軽くドーピングしたドレーン領域のドーパント濃度のN型金属誘導横向き結晶 多結晶けい素薄膜トランジスタの電気特性への効果

Graphene Growth and Carbon Diffusion Process during Vacuum Heating on Cu(111)/Al₂O₃ Substrates

著者 (7件)： OGAWA Shuichi (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  YAMADA Takatoshi (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  ISHIDZUKA Shinji (Nagaoka Univ. Technol. (AIST), Niigata, JPN) ,  YOSHIGOE Akitaka (Japan Atomic Energy Agency, Hyogo, JPN) ,  HASEGAWA Masataka (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  TERAOKA Yuden (Japan Atomic Energy Agency, Hyogo, JPN) ,  TAKAKUWA Yuji (Tohoku Univ., Sendai, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 52  号： 11,Issue 1  ページ： 110122.1-110122.8  発行年： 2013年11月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： この,研究で,軽くドーピングしたドレーン(LDD)領域でのドーパント濃度のN型ゲート絶縁体ドーピング マスク(GIDM) LDD金属-誘導横向き結晶(MILC)多結晶けい素薄膜トランジスタ(TFT)の電気特性への効果を研究した。LDD領域で ドーパント濃度の最適値を見つけるため,LDD領域で異なるドーパント濃度のLDD MILC TFTの電気特性を解析した。TFTのLDD領域でのドーパント濃度を二次イオン質量分析(SIMS)を使い計測した。TFTの電気特性とSIMSデータから,およそ1.5μmのLDD長のN型GIDM LDD MILC TFTのために,デバイス性能劣化なしでオフ状態漏洩電流の抑制を確実にするにはLDD領域でのドーパント濃度が,10¹⁹と3×10²⁰/cm³の間の範囲でなければならないことが分かった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ケイ素 ,  多結晶 ,  *薄膜トランジスタ ,  電気的性質 ,  ドーパント ,  濃度 ,  最適化 ,  質量分析 ,  漏れ電流

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (37件)：

• K. S. Novoselov, A. K. Geim, S. V. Morozov, D. Jiang, Y. Zhang, S. V. Dubonos, I. V. Grigorieva, and A. A. Firsov: Science 306 (2004) 666.
• K. S. Kim, Y. Zhao, H. Jang, S. Y. Lee, J. M. Kim, K. S. Kim, J.-H. Ahn, P. Kim, J.-Y. Choi, and B. H. Hong: Nature 457 (2009) 706.
• T. Yamada, M. Ishihara, J. Kim, M. Hasegawa, and S. Iijima: Carbon 50 (2012) 2615.
• B. Lersmacher, H. Lydtin, W. F. Knippenberg, and A. W. Moore: Carbon 5 (1967) 205.
• L. C. Isett and J. M. Blakely: Surf. Sci. 58 (1976) 397.

タイトルに関連する用語 (9件)： ドーピング ,  ドレーン ,  ドーパント ,  誘導 ,  横向き ,  結晶 ,  多結晶けい素 ,  薄膜トランジスタ ,  電気特性