文献

J-GLOBAL ID：201302248696033613   整理番号：13A1293308

2インチSiC基板の紫外光支援研磨に関する研究

著者 (3件)： 坂本武司 (熊本大) ,  久保田章亀 (熊本大) ,  峠睦 (熊本大)
資料名： 砥粒加工学会誌  (Abrasive Technology)
巻： 57  号： 8  ページ： 524-529  発行年： 2013年08月01日 
JST資料番号： L0473A  ISSN： 0914-2703  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： シリコンカーバイド(SiC)基板は,その優れた特性から次世代パワーデバイス半導体への応用が期待されている。しかし,SiCは,ダイヤモンド,cBNに次ぐ硬度を有し,熱的,化学的に安定であるため,加工がきわめて困難な材料である。筆者らは,単結晶SiC基板や単結晶ダイヤモンド基板などの高硬度材料に対する鏡面加工技術として,紫外光照射を援用した超精密研磨技術を開発した。本報では,2インチサイズのSiC基板に対してAs-slice面に前加工を施し,その後紫外光支援研磨により最終仕上げを行う一連のプロセスを報告する。2段階のダイヤモンドラッピングによる前加工を行い,As-slice面から1hr以内で1μm程度の平坦性と,Ra:0.5nmの平滑性を持つ面に仕上げた。次に,紫外光支援研磨により,基板全体をRa:0.19nm~0.28nm,Rz:2.12nm~3.00nmのサブナノメートルオーダの超平滑な面に,削除率256nm/hrで仕上げることができた。(著者抄録)

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  基板 ,  半導体素子 ,  単結晶 ,  ダイヤモンド ,  材料 ,  硬質材料 ,  硬度 ,  *紫外線照射 ,  *研磨 ,  *精密研削 ,  *超精密加工 ,  研磨面 ,  鏡面仕上 ,  *ラッピング ,  平滑度 ,  高硬度材料 ,  単結晶ダイアモンド ,  *超精密研磨 ,  鉱石 ,  宝石 ,  *機械工作
準シソーラス用語： パワーデバイス ,  基板材料 ,  *紫外線援用研磨 ,  単結晶SiC

分類 (2件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V)

引用文献 (16件)：

• KIKUCHI, M. Mechanochemical Polishing of Silicon Carbide Single Crystal with Chomium(III)Oxide abrasive. J. Am. Ceram. Soc. 1992, 75, 1, 189
• ZHOU, L. Chemonechanical Polishig of Silicon Carbide. J. Electrochem. Soc. 1997, 144, 6, L161-L163
• LI, C. Electro-Chemical Mechanical Polishing of Silicon Carbide. J. Electron. Mater. 2004, 33, 5, 481
• HARA, Hideyuki. Novel abrasive-free planarization of 4H-SiC (0001). Journal of Electronic Materials. 2006, 35, 8, L11-L14
• YAMAUCHI, K. Smoothing of Single Crystalline SiC and Gan by Catalyst Referred Etching. J. Jpn. Soc. Precision Eng. 2012, 78, 11, 947

タイトルに関連する用語 (6件)： インチ ,  SiC基板 ,  紫外光 ,  支援 ,  研磨 ,  研究