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J-GLOBAL ID：200902235225088429   整理番号：06A0741754

触媒を用いて4H-SiC(0001)の研磨材を使用しない斬新な平坦化処理

Novel Abrasive-Free Planarization of 4H-SiC (0001) Using Catalyst

著者 (8件)： HARA Hideyuki (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  SANO Yasuhisa (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  MIMURA Hidekazu (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  ARIMA Kenta (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  KUBOTA Akihisa (Kumamoto Univ., Kumamoto, JPN) ,  YAGI Keita (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  MURATA Junji (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  YAMAUCHI Kazuto (Osaka Univ., Osaka, JPN)
資料名： Journal of Electronic Materials  (Journal of Electronic Materials)
巻： 35  号： 8  ページ： L11-L14  発行年： 2006年08月 
JST資料番号： D0277B  ISSN： 0361-5235  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 白金(Pt)の触媒特性を利用した,炭化けい素(SiC)ウエハ...

シソーラス用語： 水素化 ,...
準シソーラス用語： ラップ仕上

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分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： 触媒 ,  4H-SiC ,  研磨材 ,  平坦化処理