14nm及びそれを超えて,非晶質金属ゲートを用いたFinFETのV<sub>t</sub>及びG<sub>m</sub>可変性の抑制

文献

J-GLOBAL ID：201302253050066150 整理番号：13A0794484

14nm及びそれを超えて,非晶質金属ゲートを用いたFinFETのV_t及びG_m可変性の抑制

Suppressing V_t and G_m Variability of FinFETs Using Amorphous Metal Gates for 14nm and Beyond

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著者 (12件)：

MATSUKAWA Takashi

MATSUKAWA Takashi について

(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)