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J-GLOBAL ID：201302265510916334   整理番号：13A1749117

負階調化学増幅フラーレンレジストのEUVリソグラフィー性能

EUV lithography performance of negative-tone chemically amplified fullerene resist

著者 (6件)： FROMMHOLD A. (Univ. Birmingham, Birmingham, GBR) ,  YANG D.X. (Univ. Birmingham, Birmingham, GBR) ,  MCCLELLAND A. (Univ. Birmingham, Birmingham, GBR) ,  XUE X. (Nano-C Inc., MA, USA) ,  PALMER R.E. (Univ. Birmingham, Birmingham, GBR) ,  ROBINSON A.P.G. (Univ. Birmingham, Birmingham, GBR)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 8682  ページ： 86820Q.1-86820Q.6  発行年： 2013年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： フラーレン誘導体レジストのEUVリソグラフィー(EUVL)性能を記述した。高分解能と低ラインエッジ粗度(LER)を組合せた適切なレジストと大量生産用の研究は進行中である。これらの目的を達成するための有望な方法は分子レジストの開発である。すでにフラーレン誘導体に基づく電子ビームリソグラフィー用の分子負階調レジストは報告した。それをEUVL用に拡張した。レジストの分解能研究により,このレジストのリソグラフィー性能がLER<5nmと約20mJ/cm2の感度をもつ20nmハーフピッチ分解能であることを示した。

シソーラス用語： *化学増幅レジスト ,  *フラーレン ,  *フォトリソグラフィー ,  電子ビームリソグラフィー ,  大量生産 ,  高分解能 ,  空間分解能
準シソーラス用語： *EUVリソグラフィー ,  ハーフピッチ ,  *フラーレン誘導体 ,  ラインエッジ粗さ ,  階調 ,  分子レジスト

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  原子・分子のクラスタ  (BH09030O)

タイトルに関連する用語 (6件)： 階調 ,  化学 ,  増幅 ,  フラーレン ,  レジスト ,  EUVリソグラフィー