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J-GLOBAL ID：201302282231405798   整理番号：13A1418796

紫外線照射に対するGaN内のプラズマ誘起欠陥の内部拡散の異常な増強

Anomalous Enhancement of In-Diffusion of Plasma-Induced Defects in GaN upon Ultraviolet-Light Irradiation

著者 (5件)： NAKAMURA Seiji (Tokyo Metropolitan Univ., Tokyo, JPN) ,  HOSHINO Koichi (Tokyo Metropolitan Univ., Tokyo, JPN) ,  IKADAI Yuki (Tokyo Metropolitan Univ., Tokyo, JPN) ,  SUDA Masayuki (Tokyo Metropolitan Univ., Tokyo, JPN) ,  OKUMURA Tsugunori (Tokyo Metropolitan Univ., Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 52  号： 8,Issue 1  ページ： 088001.1-088001.3  発行年： 2013年08月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： プラズマプロセスの際の紫外線照射が,n-GaN内のSiドナーを不活性化する欠陥の内部拡散を著しく増加させることを示した。ドナーがプラズマ誘起欠陥により不活性化される領域は,単にプラズマ発光に暴露させた試料よりも,紫外線照射によって数倍深くなった。バンドギャップエネルギー以下の外部光は,欠陥の内部拡散に影響しないことも見いだした。したがって,欠陥の内部拡散には電子正孔対生成が本質的に重要であると考えた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *紫外線照射 ,  窒化ガリウム ,  化合物半導体 ,  *欠陥 ,  *拡散 ,  電子正孔対

分類 (1件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

引用文献 (23件)：

• 1) A. Belkacem, Y. Arnal, A. Chantre, and C. Pomot: J. Vac. Sci. Technol. B 11 (1993) 709.
• 2) Y. G. Wang and S. Ashok: J. Appl. Phys. 75 (1994) 2447.
• 3) K. Mitani, H. Oda, J. Kasai, and Y. Imamura: Jpn. J. Appl. Phys. 34 (1995) 3970.
• 4) K. K. Ko and W. Pang: J. Vac. Sci. Technol. B 13 (1995) 2376.
• 5) J. W. Lee, K. N. Lee, R. R. Stradtmann, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, W. S. Hobson, and F. Ren: J. Vac. Sci. Technol. A 15 (1997) 890.

タイトルに関連する用語 (7件)： 紫外線照射 ,  GaN ,  プラズマ ,  誘起 ,  欠陥 ,  拡散 ,  増強