薄膜太陽電池に向けたホウ素ドープp型BaSi<sub>2</sub>エピタキシャル膜のSi(111)基板上への分子線エピタキシー

AJMAL KHAN M.; HARA Kosuke O.; NAKAMURA Kotaro; DU Weijie; BABA Masakazu; TOH Katsuaki; SUZUNO Mitsushi; TOKO Kaoru; USAMI Noritaka; USAMI Noritaka; SUEMASU Takashi; SUEMASU Takashi

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J-GLOBAL ID：201302288237114203 整理番号：13A1283126

薄膜太陽電池に向けたホウ素ドープp型BaSi₂エピタキシャル膜のSi(111)基板上への分子線エピタキシー

Molecular beam epitaxy of boron doped p-type BaSi₂ epitaxial films on Si(111) substrates for thin-film solar cells

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巻： 378 ページ： 201-204 発行年： 2013年09月01日
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

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分子線エピタキシー(MBE)を用いて,in situホウ素(B)ドーピングによるa軸配向したp型BaSi₂膜をSi(111)上に成長するのに成功した。BのKnudsenセルのるつぼの温度を変化させることによって,BドープBaSi₂中の正孔濃度を,室温で10¹⁷と10¹⁹cm^-3の範囲で制御した。アクセプタ準位は約23meVであると推定した。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

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