文献

J-GLOBAL ID：201302288348904670   整理番号：13A0794613

ナノCMOSデバイスを使った擬スピンMOSFETの設計と特性

Design and performance of pseudo-spin-MOSFETs using nano-CMOS devices

著者 (19件)： SHUTO Y. (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  SHUTO Y. (JST-CREST, Saitama, JPN) ,  SHUTO Y. (Kanagawa Acad. Sci. and Technol., Kawasaki, JPN) ,  YAMAMOTO S. (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  YAMAMOTO S. (JST-CREST, Saitama, JPN) ,  SUKEGAWA H. (National Inst. Materials Sci., Tsukuba, JPN) ,  SUKEGAWA H. (JST-CREST, Saitama, JPN) ,  WEN Z. C. (National Inst. Materials Sci., Tsukuba, JPN) ,  WEN Z. C. (JST-CREST, Saitama, JPN) ,  NAKANE R. (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  NAKANE R. (JST-CREST, Saitama, JPN) ,  MITANI S. (National Inst. Materials Sci., Tsukuba, JPN) ,  MITANI S. (JST-CREST, Saitama, JPN) ,  TANAKA M. (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  TANAKA M. (JST-CREST, Saitama, JPN) ,  INOMATA K. (National Inst. Materials Sci., Tsukuba, JPN) ,  INOMATA K. (JST-CREST, Saitama, JPN) ,  SUGAHARA S. (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  SUGAHARA S. (JST-CREST, Saitama, JPN)
資料名： Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 2012  ページ： 688-691  発行年： 2012年 
JST資料番号： C0829B  ISSN： 0163-1918  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： スピンMOSFET,すなわちMOSFET型スピントランジスタ,は機能集積回路のビルディングブロックとして関心を集めているが,その実現にはSiチャネルへの高効率なスピン注入と検出の課題がある。最近,通常のMOSFETとMTJを使ったスピントランジスタ挙動を再現する擬スピンMOSFET(PS-MOSFET)を提案した。今回,ナノCMOSデバイスを使ったPS-MOSFETの設計と特性を計算で調べた。電流誘起磁化スイッチングPS-MOSFETの動作も,市販MOSFETと自家製STT-MTJのハイブリッドで実験的に示した。さらに,PS-MOSFETの不揮発性SRAMと遅延フリップフロップも調べた。

シソーラス用語： *MOSFET ,  スピン ,  磁気トランジスタ ,  注入 ,  トンネル接合 ,  不揮発性メモリ ,  電流電圧特性 ,  素子構造
準シソーラス用語： *MTJ ,  *スピントランジスタ ,  スピン注入 ,  擬スピン

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： ナノCMOS ,  擬スピン ,  MOSFET ,  設計