文献
J-GLOBAL ID:201302289855342825   整理番号:13A1016476

金属アシスト化学エッチングにより作製したシリコンナノワイヤアレイの光学的評価

Optical assessment of silicon nanowire arrays fabricated by metal-assisted chemical etching
著者 (10件):
資料名:
巻:号:ページ: 1-6  発行年: 2013年12月 
JST資料番号: U7001A  ISSN: 1931-7573  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
シリコンナノワイヤ(SiNW)アレイを,金属アシスト化学エッチングによってシリコン基板上に作製し,それを基板から剥離して,その光学特性を測定した。SiNWアレイの吸収係数が全(波長)領域にわたってバルクシリコンのそれよりも高かった。10μmの長いナノワイヤーからなるSiNWアレイの吸収係数は10μmの厚さの平坦なSiウェハの理論的な吸収率よりもはるかに高く,SiNWアレイが強い光閉じ込め効果を示すことを示唆している。SiNWアレイによって示されたこの強い光閉じ込めの理由を明らかにするために,その透過率の角度分布関数を実験的に決定した。その結果は,ミー関連散乱がこのSiNWアレイの強い光閉じ込めに重要な役割を果たしていることを示唆している。Copyright 2013 Kato et al.; licensee Springer. Translated from English into Japanese by JST.
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

分類 (2件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
半導体薄膜  ,  光物性一般 

前のページに戻る