フィールドプレート金属技術を用いた,ZrZnO薄膜トランジスタにおける表面トラップで誘発された雑音の低減

CHIU Hsien-Chin; WANG Hsiang-Chun; LUO Yi-Cheng; HUANG Fan-Hsiu; KAO Hsuan-Ling; HSUEH Kuang-Po

文献

J-GLOBAL ID：201302292481792954 整理番号：13A1578026

フィールドプレート金属技術を用いた,ZrZnO薄膜トランジスタにおける表面トラップで誘発された雑音の低減

Low Surface Traps Induced Noise ZrZnO Thin-Film Transistor Using Field-Plate Metal Technology

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資料名：
巻： 52 号： 9,Issue 1 ページ： 094202.1-094202.4 発行年： 2013年09月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

本研究では,新規なフィールドプレート(FP)を有する高性能トップゲートZrZnO薄膜トランジスタ(TFT)を提案する。実験結果は,FP TFTのI_on/I_off比が通常構造のものより高いことを示した。リーク電流と界面トラップは,同時に減少する。また,測定された低周波振動スペクトルは,TFTのためにフィールドプレート金属構造を採用することによって,表面トラップで発生するフリッカー雑音は抑制できることを示した。フィールドプレートZrZnO TFTは,0.5Vのしきい値電圧(V_TH),およびサブスレッショールドスロープ(SS)は0.21V/decadeを達成した。さらに,I_on/I_off比は2.65×10⁴で,Hoogeパラメタ(H),10⁵から10⁴であり,以前の研究結果と比べて,比較的低いトラップ起因の騒音レンジであることが示された。(翻訳著者抄録)

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トランジスタ , 半導体薄膜

引用文献 (10件)：

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