文献

J-GLOBAL ID：201302293642675410   整理番号：13A1780880

Ge基板上へのリーク電流の少ないCa_xSr_1-xF₂/SrF₂薄膜エピタキシャル層の成長

Growth of Thin Epitaxial Ca_xSr_1-XF₂/SrF₂ Layers with Low Leakage Current on Ge Substrates

著者 (2件)： TAKAHASHI Keita (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  TSUTSUI Kazuo (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 52  号： 10,Issue 1  ページ： 100203.1-100203.4  発行年： 2013年10月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiまたはGe基板に作成された大きな伝導バンドの不連続性を有する,エピタキシャルなフッ化物層で構成された共鳴トンネル構造は,CMOSと量子デバイスとのモノリシックなSiまたはGe基板上の大きなバンド不連続性を有するエピタキシャルフッ化層は,CMOSと量子デバイスとのモノリシックな集積という点で魅力的である。Ge基板上に作成したCa_0.42Sr_0.58F₂(Geと格子整合した)層のリーク電流は,通常は大きく,Si基板上では観測されない。リーク電流のフッ化物層の組成比に対する依存性の調査から,SrF₂バッファー層の導入,即ち,Ca_0.42Sr_0.58F₂/SrF₂/Ge構造を,Ge基板上へのリーク電流を低減するための電子トンネルバリアを形成するための技術として,提案する。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *フッ化カルシウム ,  *フッ化ストロンチウム ,  *漏れ電流 ,  伝導バンド ,  不連続性 ,  層 ,  *半導体素子 ,  電子装置 ,  集積 ,  ポテンシャル障壁
準シソーラス用語： エピタキシャル層 ,  トンネルバリア ,  モノリシック集積化 ,  *共鳴トンネル素子 ,  量子デバイス

分類 (2件)： 固体デバイス一般  (NC03010Z) ,  界面の電気的性質一般  (BM03081H)

引用文献 (22件)：

• P. Mazumder, S. Kulkarni, M. Bhattacharya, J. P. Sun, and G. I. Haddad: Proc. IEEE 86 (1998) 664.
• H. Pettenghi, M. J. Avedillo, and J. M. Quintana: Microelectron. J. 39 (2008) 241.
• T. Shibata: Solid-State Electron. 53 (2009) 1227.
• H. Hanafusa, N. Hirose, A. Kasamatsu, T. Mimura, T. Matsui, H. M. H. Chong, H. Mizuta, and Y. Suda: Appl. Phys. Express 4 (2011) 024102.
• Y. Suda and H. Koyama: Appl. Phys. Lett. 79 (2001) 2273.

タイトルに関連する用語 (6件)： Ge基板 ,  リーク電流 ,  SrF2 ,  薄膜 ,  エピタキシャル層 ,  成長