文献

J-GLOBAL ID：201302294717885188   整理番号：13A1780882

誘導結合プラズマ源/容量結合したプラズマバイアス反応炉の容量性の電子冷却

Capacitive Electron Cooling in an Inductively Coupled Plasma Source/Capacitively Coupled Plasma Bias Reactor

著者 (3件)： JUN Hyun-Su (Samsung Electronics, Gyeonggi, KOR) ,  LEE Dong-Seok (Samsung Electronics, Gyeonggi, KOR) ,  CHANG Hong-Young (Korea Advanced Inst. Sci. and Technol., Daejeon, KOR)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 52  号： 10,Issue 1  ページ： 100205.1-100205.4  発行年： 2013年10月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電子冷却メカニズムを,誘導結合プラズマ(ICP)源/容量結合したプラズマ(CCP)バイアス反応炉で見つけた。測定した電子エネルギー確率関数(EEPF)の結果か電子冷却メカニズムが,誘導結合プラズマ(ICP)源/容量結合したプラズマ(CCP)バイアス反応炉で見つけられた。測定した電子エネルギー確率関数(EEPF)の結果から,以下の点が判明した。低エネルギー電子,ε<5eV,の温度は,バイアスパワーが100Wを超えると電子密度とともに減少した。10¹¹cm³程度の電子密度を有する高密度プラズマの場合,容量結合は著しいイオンの消滅の原因となり,電子の壁における消滅がフラックスのバランスを保つために促進される。この流束バランスのため,シースの崩壊フェーズにおける電子が乗り越えるべきポテンシャル障壁は,さらに減少する。ポテンシャル障壁のこの変化は,5eV未満の低エネルギー電子の壁における消滅を増進し,そして,バイアスパワーの増加に従って,有効電子温度は減少する。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *誘導結合プラズマ ,  *プラズマ ,  プラズマ装置 ,  反応器 ,  *電子冷却 ,  分布関数 ,  エネルギー ,  電子密度 ,  プラズマさや ,  電子温度
準シソーラス用語： プラズマシース ,  プラズマ反応炉 ,  電子エネルギー ,  電子エネルギー分布関数 ,  *容量結合プラズマ

分類 (2件)： プラズマ相互作用一般  (BJ02031O) ,  プラズマ診断  (BJ02090L)

引用文献 (30件)：

• M. A. Lieberman and A. J. Lichtenberg: Principles of Plasma Discharges and Materials Processing (Wiley, New York, 1994) pp. 37, 191, 333, and 464.
• F. G. Celii, Q. He, H.-Y. Liu, J. R. DeBord, and H. Sakima: J. Vac. Sci. Technol. B 19 (2001) 1845.
• Y.-K. Choi, T.-J. King, and C. Hu: IEEE Trans. Electron Devices 49 (2002) 436.
• Y. J. Lee, S. W. Hwang, G. Y. Yeom, J. W. Lee, and J. Y. Lee: Thin Solid Films 341 (1999) 168.
• K. P. Cheung: Plasma Charging Damage (Springer, New York, 2001) pp. 76, 120, and 140.

タイトルに関連する用語 (6件)： 誘導結合プラズマ ,  容量結合 ,  プラズマ ,  バイアス ,  容量性 ,  電子冷却