特許
J-GLOBAL ID：201303000480280308
炭化珪素半導体装置及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
伊藤 洋二
, 三浦 高広
, 水野 史博
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-130120
公開番号（公開出願番号）：特開2002-329729
特許番号：特許第4934903号
出願日： 2001年04月26日
公開日（公表日）： 2002年11月15日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 炭化珪素からなる第1導電型の半導体基板(1)と、
前記半導体基板の主表面上に形成され、該半導体基板よりも高抵抗な炭化珪素よりなる第1導電型の半導体層(2)と、
前記半導体層の表層部の所定領域に形成され、所定深さを有する第2導電型の第1ゲート領域(3)と、
前記半導体層及び前記第1ゲート領域の上に形成された炭化珪素からなる第1導電型のチャネル層(5)と、
前記チャネル層のうち前記第1ゲート領域の上に位置する部位に形成された第1導電型のソース領域(6)と、
前記チャネル層の上において、前記第1ゲート領域と対向する部位を含むように形成された第2導電型の第2ゲート領域(7)と、
前記ソース領域に電気的に接続されたソース電極(9)と、
前記第1ゲート領域に電気的に接続された第1ゲート電極(10)と、
前記第2ゲート領域に電気的に接続された第2ゲート電極(11)と、
前記半導体基板の裏面側に形成されたドレイン電極(13)とを有し、
前記第2ゲート領域は、前記チャネル層の上にヘテロエピタキシャル成長によって形成されたAlXGa(1-X)N(X=0〜1)で構成されており、
前記第1ゲート領域(3)は、前記チャネル層(5)側に部分的に突出したチャネル設定領域(3a、3b)を有して構成され、該チャネル設定領域(3a、3b)と前記第2ゲート領域(7)との間にチャネルが設定されることを特徴とする炭化珪素半導体装置。
IPC (6件)：
H01L 29/808 ( 200 6.01)
, H01L 27/098 ( 200 6.01)
, H01L 21/337 ( 200 6.01)
, H01L 29/26 ( 200 6.01)
, H01L 29/812 ( 200 6.01)
, H01L 21/338 ( 200 6.01)
H01L 29/80 C
, H01L 29/26
, H01L 29/80 V
, H01L 29/80 W
