半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：北野好人 , 三村治彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-350438
公開番号（公開出願番号）：特開2007-157975
出願日： 2005年12月05日
公開日（公表日）： 2007年06月21日
要約：

【課題】偏波無依存の利得特性を有する高性能のコラムナ量子ドットを容易に形成しうる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 400°C以上、480°C以下の第1の温度において自己組織化成長によりInAsよりなる量子ドットを形成する工程と、第1の温度においてInxGa1-xAs1-yPy(0≦x<1、0≦y<1)よりなる第1のバリア層を形成する工程とを繰り返し行い、複数の量子ドットが第1のバリア層を介して積層されたコラムナ量子ドットを形成する。これにより、InAs量子ドット上におけるAs/P置換が効果的に防止され、層厚方向のInAs量子ドット同士を容易に電子的に接合することができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

400°C以上、480°C以下の第1の温度において自己組織化成長によりInAsよりなる量子ドットを形成する工程と、前記第1の温度においてInxGa1-xAs1-yPy(0≦x<1、0≦y<1)よりなる第1のバリア層を形成する工程とを繰り返し行い、複数の前記量子ドットが前記第1のバリア層を介して積層されたコラムナ量子ドットを形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 29/06 , H01S 5/343

FI (2件)：

H01L29/06 601D , H01S5/343

Fターム (10件)：

5F173AA26 , 5F173AF09 , 5F173AG12 , 5F173AH14 , 5F173AP06 , 5F173AQ12 , 5F173AQ16 , 5F173AR45 , 5F173AR92 , 5F173AS01

引用特許：

出願人引用 (5件)

量子光半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-273178 出願人：富士通株式会社
自己形成量子ドットを用いた半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-112845 出願人：富士通株式会社
面発光レーザ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-307167 出願人：科学技術振興事業団

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審査官引用 (2件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-370631 出願人：富士通株式会社
半導体量子ドットを有する半導体部材の製造方法、半導体レーザ及びそれを用いた光モジュール
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-222730 出願人：株式会社日立製作所

引用文献：

出願人引用 (2件)

審査官引用 (2件)

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