特許
J-GLOBAL ID：201303004510305632

エッチング方法

発明者：
大石 明光

大石 明光 について

, 
村上 彰一

村上 彰一 について


出願人/特許権者：
SPPテクノロジーズ株式会社

SPPテクノロジーズ株式会社 について


代理人 (1件)： 村上 智司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-184393
公開番号（公開出願番号）：特開2013-239757
出願日： 2013年09月05日
公開日（公表日）： 2013年11月28日
要約：
【課題】より高精度に炭化珪素基板をエッチングすることができるエッチング方法を提供する。【解決手段】処理チャンバ11内の基台15上に載置された炭化珪素基板Kをエッチングするエッチング方法であって、炭化珪素基板Kを200°C以上に加熱し、少なくともSiF4ガス又はSiCl4ガスを含むシリコン系ガス、並びに酸素ガス又は窒素ガスを含む処理ガスを、処理チャンバ11内に供給してプラズマ化し、酸化シリコン膜又は窒化シリコン膜を保護膜として炭化珪素基板Kに形成しつつ該炭化珪素基板Kをエッチングする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
処理チャンバ内の基台上に載置された炭化珪素基板をエッチングするエッチング方法であって、 前記炭化珪素基板を200°C以上に加熱し、 少なくともSiF4ガス又はSiCl4ガスを含むシリコン系ガス、並びに酸素ガス又は窒素ガスを含む処理ガスを、前記処理チャンバ内に供給してプラズマ化し、 酸化シリコン膜又は窒化シリコン膜を保護膜として前記炭化珪素基板に形成しつつ該炭化珪素基板をエッチングするようにしたことを特徴とするエッチング方法。
IPC (1件)：
H01L 21/306
FI (1件)：
H01L21/302 104C
Fターム (16件)：
5F004AA01 ,  5F004BA20 ,  5F004CA01 ,  5F004CA03 ,  5F004CA04 ,  5F004CA06 ,  5F004DA00 ,  5F004DA13 ,  5F004DA18 ,  5F004DA23 ,  5F004DA26 ,  5F004DB19 ,  5F004EA06 ,  5F004EA13 ,  5F004EA28 ,  5F004EA37
引用特許：
審査官引用 (7件)
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