3次元フォトニック結晶の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-137153
公開番号（公開出願番号）：特開2007-310038
特許番号：特許第4840860号
出願日： 2006年05月17日
公開日（公表日）： 2007年11月29日
請求項（抜粋）：

【請求項1】微粒子を構成単位とする3次元フォトニック結晶の製造方法であって、間隔が構成単位である微粒子の直径の1以上の整数倍である窪みを有しテンプレート基板(Q)に形成される窪みが、表面が(100)面であるシリコン基板を異方性エッチングすることにより作製される(111)面を表面にもつV溝型または四角錐型であるテンプレート基板(Q)に、微粒子スラリーを供給して、窪みの形状に従った微粒子集積体を有する層(A)を形成し、さらに層(A)の上部に連続的な微粒子集積体層(A')を形成することを特徴とする3次元フォトニック結晶の製造方法。

IPC (1件)：