特許
J-GLOBAL ID：201303006023704028

p型半導体材料および半導体装置

発明者：
浅見 良信

浅見 良信 について

, 
堅石 李甫

堅石 李甫 について

, 
菊地 彫

菊地 彫 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-025334
公開番号（公開出願番号）：特開2013-234106
出願日： 2013年02月13日
公開日（公表日）： 2013年11月21日
要約：
【課題】p型の導電型を有する酸化物半導体材料、および該酸化物半導体材料を用いた半導体装置を提供する。【解決手段】二酸化モリブデンおよび三酸化モリブデンの中間組成を有する酸化モリブデン(MoOy(2<y<3))が含有されている酸化モリブデン材料を用いて、p型の導電型を有する酸化物半導体材料を形成することができる。例えば、三酸化モリブデン(MoO3)を主成分とし、4%以上のMoOy(2<y<3)を含んだ酸化モリブデン材料を用い、半導体装置を形成する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
二酸化モリブデンおよび三酸化モリブデンの中間組成を有する酸化モリブデン(MoOy(2<y<3))が含有されていることを特徴とするp型半導体材料。
IPC (4件)：
C01G 39/02 ,  H01L 31/04 ,  H01L 29/861 ,  H01L 29/868
FI (5件)：
C01G39/02 ,  H01L31/04 L ,  H01L29/91 F ,  H01L29/91 H ,  H01L31/04 E
Fターム (31件)：
4G048AA02 ,  4G048AB01 ,  4G048AC04 ,  4G048AC08 ,  4G048AD02 ,  5F151AA02 ,  5F151AA03 ,  5F151AA05 ,  5F151AA07 ,  5F151BA11 ,  5F151CA15 ,  5F151CB13 ,  5F151CB14 ,  5F151CB15 ,  5F151CB20 ,  5F151DA03 ,  5F151DA04 ,  5F151DA07 ,  5F151DA10 ,  5F151EA09 ,  5F151EA15 ,  5F151FA02 ,  5F151FA04 ,  5F151FA06 ,  5F151FA13 ,  5F151FA14 ,  5F151FA15 ,  5F151GA04 ,  5F151GA15 ,  5F151HA03 ,  5F151HA19
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (4件)
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