特許
J-GLOBAL ID：200903051430602097

基板上に形成された金属酸化物層とその作製方法

発明者：
河東田 隆

河東田 隆 について


出願人/特許権者：
河東田 隆

河東田 隆 について


代理人 (9件)： 岡部 正夫 ,  加藤 伸晃 ,  産形 和央 ,  岡部 讓 ,  臼井 伸一 ,  越智 隆夫 ,  本宮 照久 ,  朝日 伸光 ,  三山 勝巳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-310331
公開番号（公開出願番号）：特開2006-128154
出願日： 2004年10月26日
公開日（公表日）： 2006年05月18日
要約：
【課題】大きな禁制帯幅をもつ金属酸化物半導体層を、既存の金属および半導体基板や半導体材料層上に、低温で形成する方法およびその方法によって作製される半導体材料層を提供する。【解決手段】原材料のモリブデン板と、堆積先(ターゲット)のシリコン基板とを堆積室に設置し、モリブデン板の温度がシリコン基板の温度より高くなるように温度勾配を設定し得る加熱手段によってモリブデン板及びターゲット基板を所定の温度に加熱し、所定の温度に達した後に、堆積室内を酸素雰囲気にし、所定の時間維持する。結果として、モリブデン板表面から脱離(気化)した高品質のモリブデン酸化物膜502がシリコン基板501上に堆積される。【選択図】図5
請求項（抜粋）：
ターゲット基板およびソース金属板を準備するステップと、 前記ターゲット基板およびソース金属板を洗浄するステップと、 前記ターゲット基板およびソース金属板を堆積装置に設置するステップと、 不活性ガス雰囲気下で、前記ターゲット基板を350°C以上650°C未満の所定の温度に、前記ソース金属板を500°C以上850°C未満の所望の温度に、それぞれ加熱するステップと、 堆積装置内を酸化雰囲気に置換し、堆積装置内の状態を、所望の膜厚を形成するように所定の時間維持することによって金属酸化物を形成するステップと、 を含む、半導体材料層を作製する方法。
IPC (1件)：
H01L 21/205
FI (1件)：
H01L21/205
Fターム (15件)：
5F045AA03 ,  5F045AB40 ,  5F045AC11 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AE15 ,  5F045AF03 ,  5F045BB10 ,  5F045CA01 ,  5F045DP20 ,  5F045DQ06
引用特許：
出願人引用 (11件)
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審査官引用 (7件)
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引用文献：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (8件)
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