特許

J-GLOBAL ID：201303006024258811

半導体基板を処理する処理チャンバ、及び、処理する方法

発明者： コーロデンコ アーノルド ,  ルボミルスキー ディミトリー ,  シアウ グアン イェー ,  ローウェンハード ピーター ケイ ,  シャムーイリアン シャムーイル
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (5件)： 中村 稔 ,  大塚 文昭 ,  小川 信夫 ,  西島 孝喜 ,  箱田 篤
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-551418
特許番号：特許第4721516号
出願日： 1999年05月28日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 半導体基板を処理する処理チャンバであって、前記処理チャンバは、 (a)支持装置と、 (b)基板の周縁に配置され向かい合って傾斜する対のガスノズルを含み、処理ガスを基板平面に対して所定の傾斜角度で前記基板の周縁から噴射するガス分配器であって、向かい合う対のガスノズルから処理ガス流を生成して互いに衝突させ、処理チャンバ内に循環ガス流を形成する該ガス分配器と、 (c)ガス励起装置と、 (d)排気装置と、 (e)1対の向かい合うガスノズルと他対の向かい合うガスノズルとの間で前記処理ガスの流れを交互にするガス流制御装置と、 を備えており、前記支持装置上で保持された基板は、前記ガス分配器によって前記処理チャンバに噴射され、前記ガス励起装置によって活性化され、前記排気装置によって排出される処理ガスによって処理されることを特徴とする処理チャンバ。

IPC (5件)：

H01L 21/31 ( 200 6.01) ,  C23C 16/455 ( 200 6.01) ,  H01J 37/32 ( 200 6.01) ,  H01L 21/3065 ( 200 6.01) ,  H05H 1/46 ( 200 6.01)

FI (5件)：

H01L 21/31 C ,  C23C 16/455 ,  H01J 37/32 ,  H01L 21/302 101 C ,  H05H 1/46 L

引用特許：

出願人引用 (5件)

• 基板処理装置及び化学蒸着装置洗浄方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-031788   出願人：ノベラス・システムズ・インコーポレイテッド
• 特開平4-033333
  
• 薄膜形成法及びその装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-155740   出願人：三菱電機株式会社
• 半導体製造方法および装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-333719   出願人：株式会社日立製作所
• プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-130767   出願人：東京エレクトロン株式会社

審査官引用 (6件)

• 基板処理装置及び化学蒸着装置洗浄方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-031788   出願人：ノベラス・システムズ・インコーポレイテッド
• 特開平4-033333
  
• 薄膜形成法及びその装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-155740   出願人：三菱電機株式会社
• 特開平4-033333
  
• プラズマ処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-167451   出願人：東京エレクトロン株式会社
• 特開平3-232981