特許
J-GLOBAL ID：201303006893094624
研磨装置、研磨方法およびこの研磨装置を用いた半導体デバイス製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大西 正悟
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-144286
公開番号（公開出願番号）：特開2002-343754
特許番号：特許第4858798号
出願日： 2001年05月15日
公開日（公表日）： 2002年11月29日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 研磨部材と、研磨対象物を保持し当該保持した前記研磨対象物の被研磨面と交わる回転軸のまわりに回転可能に構成された対象物保持部とを備え、前記研磨部材を前記対象物保持部に保持された前記研磨対象物に当接させながら前記研磨部材と前記研磨対象物とを相対移動させて前記研磨対象物の被研磨面の研磨加工を行うように構成された研磨装置において、
プローブ光を前記被研磨面に照射する照明部、および照射された前記プローブ光の前記被研磨面からの反射または透過信号光を検出する光検出部を備え、前記被研磨面の表面状態を光学的に測定する光学測定部と、
前記研磨対象物の回転角度位置および前記対象物保持部の回転角度位置の少なくともいずれか一方を検出する角度位置検出部とを備え、
前記研磨部材は、前記研磨部材を前記研磨対象物の半径方向に移動可能に支持する第1の移動機構を介して前記研磨装置に取り付けられ、
前記照明部および前記光検出部は、前記第1の移動機構と別個に設けられた第2の移動機構に支持されて前記研磨対象物の半径方向に移動可能であり、前記プローブ光の前記被研磨面への照射位置を前記研磨対象物の半径方向に相対移動させて当該半径方向位置における前記被研磨面からの前記反射または透過信号光を受光可能に構成され、
前記プローブ光が照射される前記半径方向位置を検出する位置検出部をさらに備え、
前記光学測定部は、前記角度位置検出部および前記位置検出部からの検出信号に基づいて前記被研磨面の回転角度位置および半径方向位置を特定した位置における前記反射または透過信号光を検出することにより、前記被研磨面の研磨加工中に前記被研磨面における特定位置の表面状態を測定するように構成されており、
前記研磨対象物は半導体ウェハであり、
前記角度位置検出部は、前記半導体ウェハに形成されたノッチ又はオリエンテーションフラットを光学的に検出して前記半導体ウェハの回転角度位置を検出し、
前記光学測定部は、前記角度位置検出部によって検出される前記ノッチ又はオリエンテーションフラットの検出信号を基準として前記被研磨面における複数の特定位置での表面状態を測定し、前記表面状態に基づいて前記被研磨面全体における同心円上での膜厚のばらつきを測定することを特徴とする研磨装置。
IPC (5件)：
H01L 21/304 ( 200 6.01)
, B24B 37/013 ( 201 2.01)
, B24B 49/04 ( 200 6.01)
, B24B 49/12 ( 200 6.01)
, G01B 11/30 ( 200 6.01)
H01L 21/304 622 S
, H01L 21/304 621 D
, B24B 37/04 K
, B24B 49/04 Z
, B24B 49/12
, G01B 11/30 102 Z
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (10件)
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