特許
J-GLOBAL ID：201303007053885651
窒化物半導体基板、及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-228429
公開番号（公開出願番号）：特開2003-045807
特許番号：特許第4784012号
出願日： 2001年07月27日
公開日（公表日）： 2003年02月14日
請求項（抜粋）：
【請求項1】窒化物半導体と異なる異種基板上に窒化物半導体結晶をエピタキシャル成長させた窒化物半導体基板であって、
前記異種基板の表面の一部に、該表面が窒化処理された窒化処理領域を有し、
前記窒化処理領域を有する異種基板上に第1の窒化物半導体層と、該第1の窒化物半導体層上に第2の窒化物半導体層と、を備え、
前記第1の窒化物半導体層は、同一面上に成長した、多結晶から成る多結晶領域と、これに隣接して単結晶から成る単結晶領域と、を有し、
前記多結晶領域は前記窒化処理領域上にあって、
前記第2の窒化物半導体層は、前記単結晶領域を核として成長したことを特徴とする窒化物半導体基板。
IPC (5件)：
H01L 21/205 ( 200 6.01)
, C30B 29/38 ( 200 6.01)
, H01L 21/20 ( 200 6.01)
, H01L 33/22 ( 201 0.01)
, H01S 5/343 ( 200 6.01)
H01L 21/205
, C30B 29/38 D
, H01L 21/20
, H01L 33/00 172
, H01S 5/343 610
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (8件)
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