信号処理の光電子工学方法、その実施装置と用途

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：広瀬章一
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-104365
公開番号（公開出願番号）：特開平11-330503
特許番号：特許第5145614号
出願日： 1999年04月12日
公開日（公表日）： 1999年11月30日
請求項（抜粋）：

【請求項1】・半導体材料から構成された基板と、・絶縁性材料およびゲート材料を備えた少なくとも1つのMOS構造物と、・前記ゲート材料から構成される導波層および前記絶縁性材料から構成され、かつ前記基板と前記導波層との間に挟まれた下層から構成される積層アセンブリと、から構成される部品を用意する工程;および前記導波層に光電磁波を照射して前記MOS構造物の状態を変調する工程、ここで、照射する光電磁波の波長と入射角は、前記積層アセンブリが、該光電磁波を前記導波層内で誘導可能にするのに適した特定の光吸収ピークを、その波長およびその入射角で有するように選択される、を含み、前記光電磁波の波長と入射角を、前記導波層の少なくとも1つの界面で形成されて前記導波層内を伝搬するエバネッセント波に関連する共振光干渉を発生させるように選択することを特徴とする、信号処理の光電子工学方法。

IPC (3件)：

G02B 6/12 ( 200 6.01) , G02B 6/26 ( 200 6.01) , G02B 6/42 ( 200 6.01)

FI (3件)：

G02B 6/12 Z , G02B 6/26 , G02B 6/42

引用特許：

審査官引用 (9件)

特開平2-302707
特開平2-302707
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-292430 出願人：株式会社東芝

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