特許

J-GLOBAL ID：201303008310539049

パワー半導体モジュール、パワーモジュールおよびパワーモジュールの製造方法

発明者： 西岡 映二 ,  井出 英一 ,  石井 利昭 ,  中津 欣也 ,  楠川 順平 ,  佐藤 俊也 ,  浅野 雅彦
出願人/特許権者： 日立オートモティブシステムズ株式会社
代理人 (1件)： 永井 冬紀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-002279
公開番号（公開出願番号）：特開2013-143439
出願日： 2012年01月10日
公開日（公表日）： 2013年07月22日
要約：

【課題】導体板状に形成する絶縁層の熱伝導率および放熱性を向上する。【解決手段】導電板315とモジュールケース304とは絶縁層700により接合される。絶縁層700は、溶射膜710および溶射膜710上に設けられた絶縁膜720を含んで構成されている。絶縁膜720は、セラミックス等のフィラー722を含有する樹脂721により構成されており、このフィラー含有樹脂の一部が、溶射膜710を構成する溶射素材711の空孔712内に含浸されている。【選択図】図30

請求項（抜粋）：

半導体素子と、 一面に前記半導体素子が搭載された導体板と、 前記導体板の側面部を覆い、前記一面に対向する他面の少なくとも一部を露出する樹脂封止部と、 前記樹脂封止部の一面および前記導体板の前記樹脂封止部から露出した前記他面の一部に設けられた溶射膜と、 前記溶射膜上に設けられた絶縁膜と、を備え、 前記溶射膜には、前記溶射膜を構成する各溶射素材の間に存在する空孔の少なくとも一部にフィラー含有樹脂が含浸されていることを特徴とするパワー半導体モジュール。

IPC (5件)：

H01L 23/36 ,  H01L 23/40 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18 ,  H05K 7/20

FI (4件)：

H01L23/36 D ,  H01L23/40 D ,  H01L25/04 C ,  H05K7/20 D

Fターム (33件)：

5E322AA01 ,  5E322AA07 ,  5E322FA01 ,  5E322FA04 ,  5E322FA05 ,  5E322FA09 ,  5F136BA04 ,  5F136BA31 ,  5F136BC05 ,  5F136DA22 ,  5F136DA27 ,  5F136EA38 ,  5F136FA02 ,  5F136FA03 ,  5F136FA12 ,  5F136FA41 ,  5F136FA51 ,  5F136FA61 ,  5F136FA75 ,  5F136FA82 ,  5F136GA01 ,  5F136GA33 ,  5F136GA37 ,  5H007AA06 ,  5H007BB06 ,  5H007CA01 ,  5H007CB05 ,  5H007CC23 ,  5H007DB03 ,  5H007DC02 ,  5H007HA03 ,  5H007HA04 ,  5H007HA05

引用特許：

審査官引用 (8件)

• 半導体モジュールおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-244497   出願人：株式会社デンソー
• 防蝕被膜およびその形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-119874   出願人：ナイガイ株式会社, 太平洋マテリアル株式会社, 大日技研工業株式会社
• 溶射面用の封孔剤
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-014940   出願人：馬込正勝, 株式会社因幡電機製作所, 大橋化学工業株式会社
• 表面金属絶縁基板およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-186672   出願人：松下電工株式会社
• 金属セラミックス積層構造部材およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-199913   出願人：株式会社東芝
• パワーモジュール
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-160421   出願人：株式会社日立製作所
• パワーモジュール及びそれを用いた電力変換装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-084768   出願人：日立オートモティブシステムズ株式会社
• パワーモジュールおよびインバータ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-217184   出願人：株式会社日立製作所