特許

J-GLOBAL ID：201303011228317110

特にヘテロエピタキシャル堆積用のコンプライアント基板

発明者： ベルナール・アスパー ,  ミシェル・ブリュエル ,  エリック・ジャラギュイアー ,  ユベルト・モリセウ
出願人/特許権者： コミッサリア ア レネルジー アトミーク エ オ ゼネルジ ザルタナテイヴ
代理人 (8件)： 志賀 正武 ,  高橋 詔男 ,  渡邊 隆 ,  青山 正和 ,  鈴木 三義 ,  西 和哉 ,  村山 靖彦 ,  実広 信哉
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-529746
特許番号：特許第4994530号
出願日： 1999年01月29日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 キャリヤ(1,14,21,31)と該キャリヤの表面上に形成した少なくとも一つの薄層(4,13,23,34)とを備え、一体の形で応力供給構造を受けることが意図されているコンプライアント基板(5,20,30)であって、そのキャリヤとその薄層とが、前記構造によってもたらされた応力の全てあるいはその一部を吸収するように意図された結合手段(3;11,15,16;24,25)によって互いに結合されるコンプライアント基板において、 前記結合手段が、微小キャビティの層及び/又は前記構造によってもたらされた応力の全てあるいはその一部を吸収するように制御された結合エネルギーを有する結合界面、の中から選択された少なくとも一つの結合ゾーンを備えていることを特徴とするコンプライアント基板。

IPC (4件)：

H01L 21/20 ( 200 6.01) ,  H01L 21/265 ( 200 6.01) ,  H01L 27/12 ( 200 6.01) ,  H01L 21/02 ( 200 6.01)

FI (3件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/265 Q ,  H01L 27/12 B

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 特開平3-142822
  
• 複合半導体基板及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-283706   出願人：宇部興産株式会社
• 薄い半導体材料フィルムの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-246594   出願人：コミサリヤ・ア・レネルジ・アトミク

審査官引用 (4件)

• 特開平3-142822
  
• 複合半導体基板及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-283706   出願人：宇部興産株式会社
• 薄い半導体材料フィルムの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-246594   出願人：コミサリヤ・ア・レネルジ・アトミク
• 特開平3-142822
  

引用文献：

出願人引用 (2件)

• Silicon carbide on insulator formation by the Smart-Cut(R) process
• Lattice engineered compliant substrate for defect-free heteroepitaxial growth

審査官引用 (2件)

• Silicon carbide on insulator formation by the Smart-Cut(R) process
• Lattice engineered compliant substrate for defect-free heteroepitaxial growth