半導体装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：真田有 , 山本雅久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-050625
公開番号（公開出願番号）：特開2013-187309
出願日： 2012年03月07日
公開日（公表日）： 2013年09月19日
要約：

【課題】良好な結晶性を有し、所望のバンドギャップ及び歪量を有するInGaAsP混晶を実質的に実現し、これによって量子細線又は量子ドットを埋め込む埋込層を実現する。【解決手段】半導体装置を、InP基板1の上方に設けられた量子ドット2A又は量子細線と、量子ドット又は量子細線を埋め込む埋込層3とを備え、埋込層は、InxGa1-xP(0.73≦x≦1)層3AとInyGa1-yAs(0.60≦y≦0.68)層3Bとが積層された超格子構造を有するものとする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

InP基板の上方に設けられた量子ドット又は量子細線と、前記量子ドット又は前記量子細線を埋め込む埋込層とを備え、前記埋込層は、InxGa1-xP(0.73≦x≦1)層とInyGa1-yAs(0.60≦y≦0.68)層とが積層された超格子構造を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (1件)：

H01S 5/343

FI (1件)：

H01S5/343

Fターム (5件)：

5F173AF09 , 5F173AF15 , 5F173AF45 , 5F173AH14 , 5F173AP06

引用特許：

審査官引用 (5件)

光半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-085629 出願人：富士通株式会社
半導体レーザ
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-319711 出願人：富士通株式会社
特開昭60-062109

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