半導体装置の作製方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-105587
公開番号（公開出願番号）：特開2012-253331
出願日： 2012年05月07日
公開日（公表日）： 2012年12月20日
要約：

【課題】高い電界効果移動度を有し、しきい値電圧のばらつきが小さく、かつ高い信頼性を有する酸化物半導体を用いたトランジスタを提供する。また、該トランジスタを用い、これまで実現が困難であった高性能の半導体装置を提供する。【解決手段】トランジスタに、インジウム、スズ、亜鉛およびアルミニウムから選ばれた二種以上、好ましくは三種以上の元素を含む酸化物半導体膜を用いる。該酸化物半導体膜は、基板加熱しつつ成膜する。また、トランジスタの作製工程において、近接の絶縁膜または/およびイオン注入により酸化物半導体膜へ酸素が供給され、キャリア発生源となる酸素欠損を限りなく低減する。また、トランジスタの作製工程において、酸化物半導体膜を高純度化し、水素濃度を極めて低くする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

酸化物半導体膜を100°C以上600°C以下の基板温度で成膜し、その後250°C以上650°C以下の温度で加熱処理を行い、前記酸化物半導体膜上に、少なくとも前記酸化物半導体膜と一部が接する一対の電極を形成し、前記酸化物半導体膜および前記一対の電極上にゲート絶縁膜を成膜し、前記ゲート絶縁膜を介して前記酸化物半導体膜上にゲート電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (15件)：

H01L 21/336 , H01L 29/786 , H01L 21/824 , H01L 27/108 , H01L 27/115 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 21/28 , H01L 29/417 , H01L 27/10 , H01L 27/08 , H01L 21/823 , H01L 27/088 , H01L 51/50 , H01L 27/06

FI (24件)：

H01L29/78 618A , H01L29/78 627F , H01L29/78 627Z , H01L29/78 618Z , H01L29/78 626C , H01L29/78 627B , H01L29/78 618B , H01L27/10 321 , H01L27/10 615 , H01L27/10 434 , H01L27/10 671C , H01L27/10 671Z , H01L29/78 371 , H01L21/28 301B , H01L29/50 M , H01L27/10 481 , H01L27/10 621Z , H01L27/10 625Z , H01L27/10 461 , H01L27/08 331E , H01L27/08 102B , H01L27/08 102E , H05B33/14 A , H01L27/06 102A

Fターム (191件)：

2H092JA25 , 2H092JA31 , 2H092JA33 , 2H092KA03 , 2H092KA04 , 2H092KA05 , 2H092KA07 , 2H092KA18 , 2H092KB04 , 2H092KB25 , 2H092MA04 , 2H092MA05 , 2H092MA08 , 2H092MA13 , 2H092MA29 , 2H092MA30 , 2H092MA41 , 2H092NA22 , 3K107AA01 , 3K107BB01 , 3K107CC21 , 3K107CC33 , 3K107EE04 , 3K107FF04 , 3K107FF17 , 3K107GG26 , 4M104AA01 , 4M104AA02 , 4M104AA03 , 4M104AA08 , 4M104AA09 , 4M104BB02 , 4M104BB05 , 4M104BB08 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104BB30 , 4M104BB31 , 4M104BB32 , 4M104BB33 , 4M104BB36 , 4M104CC01 , 4M104DD04 , 4M104DD07 , 4M104DD20 , 4M104DD26 , 4M104DD28 , 4M104DD34 , 4M104DD41 , 4M104DD43 , 4M104DD48 , 4M104DD63 , 4M104DD75 , 4M104EE02 , 4M104EE09 , 4M104EE16 , 4M104EE17 , 4M104FF02 , 4M104FF09 , 4M104FF18 , 4M104FF22 , 4M104FF26 , 4M104GG04 , 4M104GG09 , 4M104GG16 , 4M104HH04 , 4M104HH10 , 4M104HH12 , 4M104HH14 , 5F048AA01 , 5F048AA07 , 5F048AB01 , 5F048AB10 , 5F048AC10 , 5F048BA14 , 5F048BA16 , 5F048BB05 , 5F048BB09 , 5F048BB11 , 5F048BC16 , 5F048BD02 , 5F048BF07 , 5F048BF11 , 5F048BF15 , 5F048BF16 , 5F048CB03 , 5F083AD02 , 5F083AD14 , 5F083AD15 , 5F083AD21 , 5F083AD69 , 5F083EP22 , 5F083EP75 , 5F083GA02 , 5F083GA03 , 5F083GA06 , 5F083GA09 , 5F083GA19 , 5F083GA21 , 5F083GA25 , 5F083GA28 , 5F083HA02 , 5F083HA06 , 5F083HA08 , 5F083JA05 , 5F083JA06 , 5F083JA19 , 5F083JA36 , 5F083JA37 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083JA44 , 5F083LA03 , 5F083MA06 , 5F083MA19 , 5F083PR03 , 5F083PR09 , 5F083PR22 , 5F083PR29 , 5F083PR33 , 5F083PR40 , 5F083ZA13 , 5F083ZA14 , 5F083ZA15 , 5F083ZA19 , 5F083ZA20 , 5F101BA17 , 5F101BD02 , 5F101BD30 , 5F101BD33 , 5F101BD39 , 5F101BF03 , 5F101BF08 , 5F101BF09 , 5F101BH14 , 5F101BH16 , 5F101BH18 , 5F101BH19 , 5F101BH26 , 5F110AA01 , 5F110AA06 , 5F110AA08 , 5F110AA14 , 5F110BB05 , 5F110CC02 , 5F110CC06 , 5F110DD02 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110DD21 , 5F110DD25 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE07 , 5F110EE08 , 5F110EE14 , 5F110EE32 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF30 , 5F110GG06 , 5F110GG13 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG33 , 5F110GG45 , 5F110HJ02 , 5F110HJ22 , 5F110HK07 , 5F110HK33 , 5F110HL04 , 5F110HL06 , 5F110HL08 , 5F110HM02 , 5F110HM14 , 5F110NN03 , 5F110NN04 , 5F110NN35 , 5F110NN36 , 5F110PP03 , 5F110PP13 , 5F110PP35 , 5F110QQ11 , 5F110QQ19

引用特許：

出願人引用 (5件)

薄膜デバイス及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-217272 出願人：日本電気株式会社, NEC液晶テクノロジー株式会社
半導体素子、半導体素子の作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-209431 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
結晶酸化物半導体、及びそれを用いてなる薄膜トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-156253 出願人：出光興産株式会社

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