特許
J-GLOBAL ID：201003010056610733
半導体光素子と半導体太陽電池
出願人/特許権者：
独立行政法人物質・材料研究機構
独立行政法人物質・材料研究機構 について
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-051993
公開番号（公開出願番号）：特開2010-206074
出願日： 2009年03月05日
公開日（公表日）： 2010年09月16日
要約：
【課題】 本発明は、従来は理想でしかなかった量子ドット導入層の多層化活性層を実現しすることを目的とする。【解決手段】 本発明は、量子ドットが導入された層が多層化されてなる活性層を有する光素子であって、前記活性層の格子歪みがないことを特徴とし、前記の光素子において、前記量子ドットと、それを導入する母体とが、両者の格子定数が0.5%以下である材料よりなることを特徴とする。本発明は、前記の光素子において、前記量子ドットを構成する材料よりも、これらが導入されている母体の材料のバンドギャップエネルギーが大きいことを特徴とし、活性層の上下に電極を配してなる太陽電池であって、前記活性層が、本発明のいずれかに記載の活性層であることを特徴とする。 本発明は、前記の太陽電池において、前記活性層を構成する量子ドットがGaAsからなり、その母体がAlxGa1-xAs(0<x≦1)からなることを特徴とする。【選択図】 図12
請求項（抜粋）：
量子ドットが導入された層が多層化されてなる活性層を有する光素子であって、活性層に格子不整合に起因する格子歪みがないことを特徴とする光素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (10件)：
5F051AA08
, 5F051CB08
, 5F051DA06
, 5F051FA06
, 5F051GA04
, 5F151AA08
, 5F151CB08
, 5F151DA06
, 5F151FA06
, 5F151GA04
引用特許：
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