光発電可能な調光素子およびその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大井正彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-252632
公開番号（公開出願番号）：特開2013-109076
出願日： 2011年11月18日
公開日（公表日）： 2013年06月06日
要約：

【課題】可視光の透過率を変化させることができ、さらに、透光状態にあっても遮光状態にあっても光発電することができる光発電可能な調光素子およびその製造方法の提供。【解決手段】光発電可能な調光素子は、酸化還元反応によって可視光の透過率を変化させることができる調光機能層を有する調光素子であって、調光機能層がp型のNiOからなり、当該調光機能層が、透光性基板上に裏面電極層およびn型半導体層がこの順に積層された当該n型半導体層上に積層され、さらに当該調光機能層上に透明導電層が積層された構成を有し、光発電することができることを特徴とする。光発電可能な調光素子においては、前記調光機能層のキャリア密度が、1×1015〜5×1018cm-3であることが好ましい。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

酸化還元反応によって可視光の透過率を変化させることができる調光機能層を有する調光素子であって、調光機能層がp型のNiOからなり、当該調光機能層が、透光性基板上に裏面電極層およびn型半導体層がこの順に積層された当該n型半導体層上に積層され、さらに当該調光機能層上に透明導電層が積層された構成を有し、光発電することができることを特徴とする光発電可能な調光素子。

IPC (3件)：

G02F 1/153 , G02F 1/15 , H01L 31/04

FI (3件)：

G02F1/153 , G02F1/15 502 , H01L31/04 E

Fターム (21件)：

2K101AA22 , 2K101DA01 , 2K101DC62 , 2K101EB01 , 2K101EG26 , 2K101EG52 , 2K101EH02 , 2K101EH25 , 2K101EK03 , 2K101EK05 , 5F151AA07 , 5F151CB15 , 5F151DA03 , 5F151DA07 , 5F151DA15 , 5F151FA02 , 5F151FA04 , 5F151FA13 , 5F151FA15 , 5F151GA03 , 5F151GA05

引用特許：

審査官引用 (6件)

光電変換素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-124340 出願人：スター精密株式会社
電圧非直線性抵抗素子及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-078990 出願人：TDK株式会社
非化学量論的NiOxセラミックターゲット
公報種別：公表公報出願番号：特願2003-566269 出願人：サン-ゴバングラスフランス

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