特許
J-GLOBAL ID:201003007890590650

太陽電池及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 長谷川 芳樹 ,  清水 義憲 ,  沖田 英樹
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2009-118807
公開番号(公開出願番号):特開2010-267865
出願日: 2009年05月15日
公開日(公表日): 2010年11月25日
要約:
【課題】簡易なプロセスで製造可能であり、更には十分な光電変換効率を発現可能な太陽電池を提供すること。【解決手段】Liによってドープされた酸化ニッケルから構成され、スパッタ法により形成されたp型半導体層7と、該p型半導体層7と接合したn型酸化物半導体層3と、を備える太陽電池100。【選択図】図1
請求項(抜粋):
Liによってドープされた酸化ニッケルから構成され、スパッタ法により形成されたp型半導体層と、 該p型半導体層と接合したn型酸化物半導体層と、 を備える、太陽電池。
IPC (1件):
H01L 31/04
FI (1件):
H01L31/04 E
Fターム (22件):
5F051AA09 ,  5F051AA20 ,  5F051BA11 ,  5F051CB15 ,  5F051CB24 ,  5F051DA03 ,  5F051DA20 ,  5F051FA02 ,  5F051FA04 ,  5F051FA06 ,  5F051GA03 ,  5F151AA09 ,  5F151AA20 ,  5F151BA11 ,  5F151CB15 ,  5F151CB24 ,  5F151DA03 ,  5F151DA20 ,  5F151FA02 ,  5F151FA04 ,  5F151FA06 ,  5F151GA03
引用特許:
審査官引用 (6件)
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