特許
J-GLOBAL ID:201003007890590650
太陽電池及びその製造方法
発明者:
,
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (3件):
長谷川 芳樹
, 清水 義憲
, 沖田 英樹
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2009-118807
公開番号(公開出願番号):特開2010-267865
出願日: 2009年05月15日
公開日(公表日): 2010年11月25日
要約:
【課題】簡易なプロセスで製造可能であり、更には十分な光電変換効率を発現可能な太陽電池を提供すること。【解決手段】Liによってドープされた酸化ニッケルから構成され、スパッタ法により形成されたp型半導体層7と、該p型半導体層7と接合したn型酸化物半導体層3と、を備える太陽電池100。【選択図】図1
請求項(抜粋):
Liによってドープされた酸化ニッケルから構成され、スパッタ法により形成されたp型半導体層と、
該p型半導体層と接合したn型酸化物半導体層と、
を備える、太陽電池。
IPC (1件):
FI (1件):
Fターム (22件):
5F051AA09
, 5F051AA20
, 5F051BA11
, 5F051CB15
, 5F051CB24
, 5F051DA03
, 5F051DA20
, 5F051FA02
, 5F051FA04
, 5F051FA06
, 5F051GA03
, 5F151AA09
, 5F151AA20
, 5F151BA11
, 5F151CB15
, 5F151CB24
, 5F151DA03
, 5F151DA20
, 5F151FA02
, 5F151FA04
, 5F151FA06
, 5F151GA03
引用特許:
審査官引用 (6件)
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酸化物半導体PN接合デバイス
公報種別:公開公報
出願番号:特願2002-278214
出願人:科学技術振興事業団, 太田裕道
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光電変換素子
公報種別:公開公報
出願番号:特願平11-124340
出願人:スター精密株式会社
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半導体粒子及びその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2007-036287
出願人:国立大学法人宇都宮大学
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