特許
J-GLOBAL ID：201303016995244936

半導体装置

発明者：
近間 義雅

近間 義雅 について

, 
錦 博彦

錦 博彦 について

, 
太田 純史

太田 純史 について

, 
水野 裕二

水野 裕二 について

, 
原 猛

原 猛 について

, 
会田 哲也

会田 哲也 について

, 
鈴木 正彦

鈴木 正彦 について

, 
竹井 美智子

竹井 美智子 について

, 
中川 興史

中川 興史 について

, 
春本 祥征

春本 祥征 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (4件)： 奥田 誠司 ,  喜多 修市 ,  山下 亮司 ,  三宅 章子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-206132
公開番号（公開出願番号）：特開2013-051421
出願日： 2012年09月19日
公開日（公表日）： 2013年03月14日
要約：
【課題】端子部のコンタクトホールのテーパー形状を高い精度で制御する。【解決手段】酸化物半導体層7a、ソース配線13as、ドレイン電極13adを備えた薄膜トランジスタと、第1接続部3c、第2接続部13cおよび第2接続部上に形成された第3接続部19cを備えた端子部とからなる薄膜トランジスタである。第2接続部は、第1および第2絶縁膜5,9に設けられた第1開口部内で第1接続部と接し、第3接続部19cは、保護膜に設けられた第2開口部内で第2接続部と接する。第1開口部は、第1絶縁膜5および第2絶縁膜9を同時にエッチングすることによって形成、第2開口部は、保護膜15を前記第1および第2絶縁膜とは別個にエッチングすることによって形成される。第2接続部13cは、第1開口部における第1および第2絶縁膜の端面を覆い、かつ、第2開口部における保護膜15の端面を覆っていない。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
基板と、前記基板上に形成された薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタと外部配線とを電気的に接続する端子部とを備えた半導体装置であって、 前記薄膜トランジスタは、 前記基板上に設けられたゲート配線と、 前記ゲート配線上に形成された第1絶縁膜と、 前記第1絶縁膜上に形成され、チャネル領域と、前記チャネル領域の両側にそれぞれ位置するソース領域およびドレイン領域とを有する島状の酸化物半導体層と、 前記酸化物半導体層上に接して設けられた第2絶縁膜と、 前記第2絶縁膜上に設けられ、前記ソース領域と電気的に接続されたソース配線と、 前記第2絶縁膜上に設けられ、前記ドレイン領域と電気的に接続されたドレイン電極と、 前記ソース配線およびドレイン電極上に設けられ、前記薄膜トランジスタを覆う保護膜と を備え、 前記端子部は、 前記ゲート配線と同一の導電膜から形成された第1接続部と、 前記第1接続部上に形成され、前記ソース配線およびドレイン電極と同一の導電膜から形成された第2接続部と、 前記第2接続部上に形成された第3接続部と を備え、 前記第2接続部は、前記第1絶縁膜および前記第2絶縁膜に設けられた第1開口部内で、前記第1接続部と接しており、 前記第3接続部は、前記保護膜に設けられた第2開口部内で、前記第2接続部と接しており、 前記第1開口部は、前記第1絶縁膜および前記第2絶縁膜を同時にエッチングすることによって形成されており、前記第2開口部は、前記保護膜を前記第1および第2絶縁膜とは別個にエッチングすることによって形成されており、 前記第2接続部は、前記第1開口部における前記第1絶縁膜および前記第2絶縁膜の端面を覆い、かつ、前記第2開口部における前記保護膜の端面を覆っておらず、前記第2接続部の一部は前記第2絶縁膜と前記保護膜との間に配置されている半導体装置。
IPC (9件)：
H01L 21/768 ,  H01L 23/522 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/417 ,  G09F 9/30 ,  G02F 1/134 ,  G02F 1/136
FI (11件)：
H01L21/90 B ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 612Z ,  H01L29/78 619A ,  H01L21/28 301B ,  H01L21/90 D ,  H01L21/28 L ,  H01L29/50 M ,  G09F9/30 338 ,  G02F1/1345 ,  G02F1/1368
Fターム (97件)：
2H092GA43 ,  2H092JA26 ,  2H092JA46 ,  2H092JB57 ,  2H092JB64 ,  2H092JB66 ,  2H092JB69 ,  2H092KA08 ,  2H092KB24 ,  2H092KB25 ,  2H092MA18 ,  2H092NA17 ,  2H092NA25 ,  4M104AA03 ,  4M104AA09 ,  4M104BB14 ,  4M104CC01 ,  4M104DD09 ,  4M104DD12 ,  4M104DD16 ,  4M104FF17 ,  4M104FF22 ,  4M104GG08 ,  4M104GG14 ,  4M104HH14 ,  4M104HH20 ,  5C094AA32 ,  5C094AA42 ,  5C094AA43 ,  5C094BA03 ,  5C094BA27 ,  5C094BA43 ,  5C094DA13 ,  5C094DA15 ,  5C094DB04 ,  5C094EA10 ,  5C094FB14 ,  5C094FB19 ,  5F033GG04 ,  5F033HH08 ,  5F033HH18 ,  5F033HH38 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ38 ,  5F033KK03 ,  5F033KK08 ,  5F033KK18 ,  5F033MM08 ,  5F033NN12 ,  5F033NN32 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ23 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ34 ,  5F033QQ37 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR21 ,  5F033SS11 ,  5F033SS21 ,  5F033TT02 ,  5F033TT04 ,  5F033VV06 ,  5F033VV10 ,  5F033VV15 ,  5F033XX00 ,  5F110AA16 ,  5F110AA26 ,  5F110BB01 ,  5F110BB10 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE15 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110FF29 ,  5F110GG01 ,  5F110GG25 ,  5F110GG43 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL12 ,  5F110HL14 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN33 ,  5F110NN35 ,  5F110NN73 ,  5F110QQ04
引用特許：
出願人引用 (8件)
全件表示
審査官引用 (8件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM