半導体装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-157544
公開番号（公開出願番号）：特開2013-243397
出願日： 2013年07月30日
公開日（公表日）： 2013年12月05日
要約：

【課題】新たな構造の半導体装置を提供することを目的の一とする。【解決手段】半導体材料を含む基板に設けられたチャネル形成領域と、チャネル形成領域を挟むように設けられた不純物領域と、チャネル形成領域上の第1のゲート絶縁層と、第1のゲート絶縁層上の第1のゲート電極と、不純物領域と電気的に接続する第1のソース電極および第1のドレイン電極と、を有する第1のトランジスタと、半導体材料を含む基板上の第2のゲート電極と、第2のゲート電極上の第2のゲート絶縁層と、第2のゲート絶縁層上の酸化物半導体層と、酸化物半導体層と電気的に接続する第2のソース電極および第2のドレイン電極と、を有する第2のトランジスタと、を有する半導体装置である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1のトランジスタと、第2のトランジスタと、第3のトランジスタと、を有し、前記第1のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第2のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、前記第3のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第1のトランジスタのゲートと電気的に接続され、前記第3のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第2のトランジスタのゲートと電気的に接続され、前記第1のトランジスタは、p型トランジスタであり、前記第2のトランジスタは、n型トランジスタであり、前記第1のトランジスタは、第1のチャネル形成領域を有し、前記第2のトランジスタは、第2のチャネル形成領域を有し、前記第3のトランジスタは、第3のチャネル形成領域を有し、前記第1のチャネル形成領域は、シリコンを有し、前記第2のチャネル形成領域は、シリコンを有し、前記第3のチャネル形成領域は、酸化物半導体を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (11件)：

H01L 21/823 , H01L 27/088 , H01L 27/092 , H01L 29/786 , H01L 27/08 , H01L 27/105 , H01L 21/824 , H01L 27/115 , H01L 21/336 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (8件)：

H01L27/08 102A , H01L27/08 321G , H01L29/78 618B , H01L27/08 102E , H01L27/08 331E , H01L27/10 441 , H01L27/10 434 , H01L29/78 371

Fターム (129件)：

5F048AB01 , 5F048AB04 , 5F048AC01 , 5F048AC04 , 5F048AC10 , 5F048BA01 , 5F048BA14 , 5F048BA16 , 5F048BA19 , 5F048BA20 , 5F048BB03 , 5F048BB09 , 5F048BB11 , 5F048BC06 , 5F048BC18 , 5F048BD04 , 5F048BD10 , 5F048BF06 , 5F048BF07 , 5F048BF11 , 5F048BF16 , 5F048BH01 , 5F048CB01 , 5F048CB03 , 5F048CB04 , 5F048DA23 , 5F048DA30 , 5F083EP02 , 5F083EP30 , 5F083ER01 , 5F083GA06 , 5F083JA60 , 5F101BA01 , 5F101BC20 , 5F101BD02 , 5F101BD30 , 5F110AA06 , 5F110AA09 , 5F110BB04 , 5F110BB05 , 5F110CC02 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD05 , 5F110DD12 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110DD21 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE05 , 5F110EE06 , 5F110EE09 , 5F110EE14 , 5F110EE32 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110EE48 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF23 , 5F110FF25 , 5F110FF26 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110FF30 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG14 , 5F110GG15 , 5F110GG16 , 5F110GG32 , 5F110GG33 , 5F110GG34 , 5F110GG43 , 5F110GG57 , 5F110GG58 , 5F110HJ01 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK05 , 5F110HK06 , 5F110HK21 , 5F110HK22 , 5F110HK33 , 5F110HK35 , 5F110HK40 , 5F110HL01 , 5F110HL02 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL06 , 5F110HL11 , 5F110HL12 , 5F110HL22 , 5F110HL24 , 5F110HL27 , 5F110HM15 , 5F110NN03 , 5F110NN04 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN34 , 5F110NN35 , 5F110NN40 , 5F110NN62 , 5F110NN65 , 5F110NN74 , 5F110NN78 , 5F110PP01 , 5F110PP02 , 5F110PP13 , 5F110QQ09 , 5F110QQ11 , 5F110QQ19

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体集積回路
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-289867 出願人：シャープ株式会社
半導体装置の作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-311892 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-048672 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

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