特許
J-GLOBAL ID：200903054044466188
不揮発性半導体記憶装置およびデータ記憶システム
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-014557
公開番号（公開出願番号）：特開2001-210082
出願日： 2000年01月24日
公開日（公表日）： 2001年08月03日
要約：
【要約】【課題】 大容量であって、高信頼性かつ高速動作を確保できる不揮発性半導体記憶装置およびデータ記憶システムを提供する。【解決手段】 本発明の実施の形態によるフラッシュメモリは、不揮発性メモリセルを含むメモリセルアレイMA、MBと、多値フラグ部15A、15Bと、メモリセルアレイおよび多値フラグ部に対するデータの書込み、読出し、消去を制御する制御用CPU16とを備える。多値フラグ部は、メモリセルに書込んだデータが2値データであるか多値データであるかを示す値を記憶する。多値フラグ部の値により、2値データについては、2値用の読出シーケンスで、多値データについては、多値用の読出シーケンスでデータを読出すことができる。
請求項（抜粋）：
複数のメモリセルを含む不揮発性メモリセルアレイと、前記複数のメモリセルに対する書込動作、読出動作および消去動作を制御するための制御回路とを備え、前記制御回路は、書込要求に応じて、書込対象となるメモリセルに2値データまたは3値以上の多値データを書込み、前記読出動作時、読出対象となるメモリセルの書込内容に応じて、前記2値データまたは前記多値データを読出す、不揮発性半導体記憶装置。
FI (2件)：
G11C 17/00 641
, G11C 17/00 601 E
5B025AA03
, 5B025AB01
, 5B025AC01
, 5B025AD04
, 5B025AD05
, 5B025AD08
, 5B025AE05
, 5B025AE08
