特許
J-GLOBAL ID：200903025780080076
不揮発性半導体記憶装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (5件)：
吉武 賢次
, 佐藤 泰和
, 吉元 弘
, 川崎 康
, 出口 智也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-300779
公開番号（公開出願番号）：特開2009-129477
出願日： 2007年11月20日
公開日（公表日）： 2009年06月11日
要約：
【課題】書き込み単位に応じて、疑似的な二値データまたは多値データをメモリセルに記憶することが可能な不揮発性半導体記憶装置を提供する。【解決手段】第1の単位のデータの組の一方から上位ビットを、他方から下位ビットを選択して得られる多値データを、前記メモリセルの各閾値電圧に割り当てることにより、1つのメモリセルに複数ビットのデータの記憶が可能であり、前記第1の単位でデータを処理する第1の書き込み動作では、前記上位ビットまたは下位ビットの何れかの論理を固定して、閾値電圧の差が最大になる2つの多値データを割り当てて、疑似的な二値状態として1つの前記メモリセルに1ビットの入力データを記憶し、前記第1の単位よりも大きい第2の単位でデータを処理する第2の書き込み動作では、1つの前記メモリセルに複数ビットの入力データを記憶すると共に、前記第2の単位でのエラー訂正用のパリティデータを前記メモリセルに記憶する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1の単位のデータの組の一方から上位ビットを、他方から下位ビットを選択して得られる多値データを、前記メモリセルの各閾値電圧に割り当てることにより、1つのメモリセルに複数ビットのデータを記憶することが可能な不揮発性半導体記憶装置であって、
前記第1の単位でデータを処理する第1の書き込み動作では、前記上位ビットまたは前記下位ビットの何れか一方の論理を固定して、閾値電圧の差が最大になる2つの多値データを割り当てることにより、疑似的な二値状態として1つの前記メモリセルに1ビットの入力データを記憶し、
前記第1の単位よりも大きい第2の単位でデータを処理する第2の書き込み動作では、多値状態として1つの前記メモリセルに複数ビットの入力データを記憶するとともに、前記第2の単位でエラー訂正を行うためのパリティデータを前記メモリセルに記憶する
ことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (3件)：
G11C 16/02
, G11C 16/06
, G11C 29/42
G11C17/00 641
, G11C17/00 611Z
, G11C17/00 639C
, G11C29/00 631D
5B125BA01
, 5B125BA19
, 5B125CA08
, 5B125DB08
, 5B125DB19
, 5B125DD01
, 5B125DE08
, 5B125EA01
, 5B125EA08
, 5B125EF07
, 5B125FA01
, 5B125FA02
, 5B125FA04
, 5B125FA10
, 5L106AA10
, 5L106BB02
, 5L106BB11
, 5L106FF04
, 5L106GG04
, 5L106GG05
出願人引用 (2件)
審査官引用 (7件)
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