特許

J-GLOBAL ID：201303021062812066

縮小されたビットセル寸法を有するスピン注入トルク磁気抵抗ランダムアクセスメモリ

発明者： ソン-オク・ジュン ,  メーディ・ハミディ・サニ ,  スン・エイチ.・カン ,  セイ・スン・ヨン
出願人/特許権者： クゥアルコム・インコーポレイテッド
代理人 (16件)： 蔵田 昌俊 ,  福原 淑弘 ,  中村 誠 ,  野河 信久 ,  白根 俊郎 ,  峰 隆司 ,  幸長 保次郎 ,  河野 直樹 ,  砂川 克 ,  井関 守三 ,  赤穂 隆雄 ,  井上 正 ,  佐藤 立志 ,  岡田 貴志 ,  堀内 美保子 ,  竹内 将訓
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-270584
公開番号（公開出願番号）：特開2013-093592
出願日： 2012年12月11日
公開日（公表日）： 2013年05月16日
要約：

【課題】スピン注入トルク磁気抵抗ランダム・アクセス・メモリ(STT-MRAM)のメモリセル寸法を縮小する。【解決手段】ワード・ラインWLに対して実質的に平行にかつビット・ラインBLに対して実質的に垂直にソース・ラインSLを配列することによって、縮小されたビット・セル寸法が達成される。さらに、1つの実施の形態では、書込み動作時に、無効な書込み動作を防止するために、選択されないビット・セルのビット・ラインにハイ論理/電圧レベルが印加される。【選択図】図7

請求項（抜粋）：

ビット・セルの第1の行に結合されたワード・ラインに対して実質的に平行なソース・ラインを有し、前記ソース・ラインはビット・ラインの前記第1の行に結合されたビット・ラインに対して実質的に垂直であるビット・セル・アレイを具備する、スピン注入トルク磁気抵抗ランダム・アクセス・メモリ(STT-MRAM)。

IPC (5件)：

H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01L 29/82 ,  H01L 43/08 ,  G11C 11/15

FI (5件)：

H01L27/10 447 ,  H01L29/82 Z ,  H01L43/08 Z ,  H01L43/08 A ,  G11C11/15 140

Fターム (14件)：

4M119AA11 ,  4M119BB01 ,  4M119CC05 ,  4M119DD33 ,  4M119DD45 ,  4M119EE22 ,  4M119EE27 ,  4M119GG01 ,  4M119HH07 ,  5F092AA12 ,  5F092AB08 ,  5F092AC12 ,  5F092AD25 ,  5F092DA03

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 不揮発性半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-002732   出願人：株式会社ルネサステクノロジ
• 記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-022121   出願人：ソニー株式会社
• 読出および書込マージンを向上した電流駆動切り換え型磁気記憶セル、ならびに同磁気記憶セルを使用する磁気メモリ
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2008-537906   出願人：グランディスインコーポレイテッド
• 磁気ランダムアクセスメモリ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-022247   出願人：株式会社東芝